美国加利福尼亚州圣何塞，2015年12月2日 – IDT公司（IDT®）（NASDAQ：IDTI）今天宣布推出业界首款采用正在申请专利的KZ恒阻抗技术的单极双掷（SPDT）RF开关产品， IDT F2923是一款低插入损耗单极双掷吸收式（absorptive）RF开关，设计用于包括基站（2G，3G，4G，5G）、无线回程、CATV和便携式手持设备等多种RF应用。

       F2923采用的KZ技术可以在射频端口间切换时控制所有端口的阻抗，保持了回波损耗。对于没有采用KZ技术的常规开关，由于在开关时不能很好地控制开关阻抗，因而在切换RF路径时会产生较大的电压驻波比（VSWR）瞬态，该VSWR瞬态会降低系统性能以及可靠性。在各种不同的动态或“热交换”方案下，KZ技术的优势包括：

· 最小化TDD系统中切换的Tx/Rx频率合成器阻抗牵引和恢复时间

· 在功率放大器、驱动器和低噪声放大器等两个RF器件之间切换时，可避免产生有害和错误的瞬态

· 在开关如3dB 耦合器（coupler）或者 4通道功分器等分布式网络的一个路径时，能够使未切换路径瞬态幅度和相位误差最小化

       IDT公司射频事业部总经理Chris Stephens 介绍说：“对于最新的SPDT开关产品，我们要强调能够大幅改善开关在线切换性能的新KZ技术。F2923的推出再次证明IDT公司在系统设计专家所期望的核心RF技术创新方面的领导地位。”

       除了KZ技术，该器件还可提供下述性能：

在2GHz下，插入损耗仅为0.48dB

IIP3大于66dBm @ 2GHz

在2GHz下，业界领先的74 dB隔离度

       IDT公司创新的KZ技术覆盖从300kHz至8000MHz的宽频率范围，在从一个RF端口切换到另一个时能够确保器件具有近乎恒定的阻抗（VSWR <1.4：1，其他标准开关相比之下为9:1），同时不影响隔离度、线性度或插入损耗。F2923采用3.3V单电源正电压供电，支持标准的1.8V和3.3V控制逻辑电平。