《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 电源技术 > 新品快递 > Diodes DFN2020封装P通道MOSFET 降低负载开关损耗

Diodes DFN2020封装P通道MOSFET 降低负载开关损耗

2015-12-20

       Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑、智能手机、超极本等便携式消费性电子产品的负载开关,以及物联网的应用。

DI0845_DMP1022UFDF_DMP2021UFDF-NPS-image.jpg

       两款MOSFET在低栅极驱动情况下提供低导通电阻,有效满足那些希望用简易的方法关闭低压电源轨的电路设计人员。这还确保低至1.5V的电源轨能够以最低通损耗进行开关。DMP1022UFDF在-2.5V栅极驱动下的导通电阻少于20mΩ;DMP2021UFDF在-1.8V栅极驱动下的导通电阻则少于26mΩ。以MOSFET作为高侧负载开关来关断闲置处理器核心和其它非活跃电路,能有效延长电池寿命。

       新产品采用了占位面积仅4mm2的小型DFN2020封装,离板高度只有0.6mm,同样非常适合对空间要求严格的应用。这款封装还具有带散热漏极焊盘,其低于10°C/W的结点至焊盘热阻提供散热功能,从而降低裸片温度并提升器件可靠性。

       DMP1022UFDF及DMP2021UFDF各以一万个为出货批量。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。