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高通骁龙835有哪些让人兴奋的新杀手锏

2016-12-07

       高通官方宣布将使用三星的10nm FinFET打造自家的新一代旗舰处理器骁龙835。作为骁龙820/821的继任者,它让我们对明年旗舰机的性能有了新的期待,除了新的10nm制程,以及继续跑个高分,还有什么更让人兴奋的新杀手锏吗?

  先进的制程比核心数更重要

  去年骁龙820的发布时间也是在11月,跟骁龙835相隔刚好差不多一年,不过骁龙835的处境可比去年的820好多了,后者肩负着为高通“退烧”的重任。因此,高通在公布骁龙820时就将其架构、主频、GPU等各项详细参数都一股脑地倒了出来,而此次对于骁龙835其并没有透露过多的信息。主要就告诉我们一件事——它将使用三星10nm制程工艺制造。

  有意思的是,刚好就在高通公布该消息的一个月前,三星宣布其10nm制程芯片工艺实现量产,前后脚的发布消息,这两家公司就像商量好似的。受此打击最大的大概就是另一家芯片代工厂台积电了,不仅再次把“首家实现量产10nm制程工艺芯片厂家”的头衔拱手让给三星,更失掉了传闻中高通骁龙835的大单子。

  台积电在半导体制造工艺方面与三星一直都相互竞争,在14/16nm FinFET工艺量产进度被三星击败后,台积电卯足劲希望在10nm甚至7nm工艺上要领先三星。可惜正如此前的16nm FinFET工艺一样,在正式量产前不断放消息,结果实际时间却延迟了近半年。如今曾信心满满要赶在三星前面的台积电不仅又落后了,更未确定年底能否量产10nm,但愿不要太迟才好。

  因为这不仅关系到台积电自己,其他厂商也因此受到影响。华为海思规划了两款高端芯片麒麟960、麒麟970,前者采用台积电成熟的16nm FinFET工艺,而后者则计划采用台积电的10nm工艺,如果无法如期量产,恐怕华为明年的旗舰新机也会有变数。

  一直希望通过采用领先的工艺而在高端芯片市场有所作为的联发科,如今大概也正在为台积电的10nm工艺量产时间头疼。由于联发科所有芯片都不支持中国移动要求的LTE Cat7而开始被国产手机厂商弃用,它急需推出采用10nm工艺的Helio X30,该芯片支持LTE Cat10技术,这也造成了联发科如今青黄不接的囧况。

  不难看出,高通和三星共同宣布采用10nm工艺制造骁龙835这一消息,无异于联手告诉各自的竞争对手:“来追我呀”,宣示领先地位。或许正因如此,这次骁龙835也有了跳数字的命名方式(此前传闻型号应为骁龙830)。

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  搭载千兆级LTE芯片骁龙X16

  今年2月份的时候,高通就正式公布了其最新一代的LTE基带芯片骁龙X16 ,这是全球首款移动平台商用千兆级LTE基带芯片。而在日前的媒体会上,高通也宣布即将推出的下一代骁龙800系列处理器就将会集成骁龙X16 LTE基带芯片。

  

  骁龙X16 LTE调制解调器基于先进的14nm工艺,作为移动行业首款商用千兆级LTE芯片,骁龙X16通过支持跨FDD和TDD频谱最高达4×20 MHz的下行链路载波聚合(CA)和256-QAM,可以带来“像光纤一样”(fiber-like)的最高达1Gbps的LTE Category 16下载速度;同时通过支持最高达2x20 MHz的上行链路载波聚合以及64-QAM,可以带来高达150 Mbps的上行速度。骁龙X16 LTE调制解调器可利用与Cat.9 LTE终端相同数量的频谱实现千兆级LTE速率。

  骁龙X16 LTE调制解调器还搭配了全新的WTR5975射频收发器,这是全球首个单芯片射频集成电路(RF IC),能够支持千兆级LTE、LTE-U以及5 GHz非授权频段LAA。此外骁龙X16还搭配了高通RF360 QET4100包络追踪器,通过全球首个发布的LTE FDD和LTE TDD 40MHz包络跟踪解决方案大幅改善了LTE功耗。

  全新调制解调器和收发器不仅包含先进的连接特性组合,还支持骁龙全网通,包括全部主要蜂窝技术(LTE FDD、LTE TDD、WCDMA、TD-SCDMA、EV-DO、CDMA 1x和GSM/EDGE)、频段、载波聚合频段组合、LTE双卡、LTE广播且支持高清和超高清LTE语音(VoLTE)利用SRVCC(单一无线语音呼叫连续性)到3G和2G语音的切换

  高通表示,得益于骁龙X16 LTE调制解调器千兆级的LTE速度,用户将能够享受到其突破性功能带来的优势,如360度虚拟现实内容的实时传送、全新的影音娱乐体验(快速缓存超高保真音乐和电影)、即时APP应用(无需下载安装即可享用)、更快更无缝的云端应用与服务的访问。同时也将使得云存储或将拥有媲美本地闪存的读取速度。

 这次快充不怕谷歌的白眼了

  和骁龙835一起到来的还有Quick Chrage 4快速充电技术,实际上,就在公布前不久,高通的Quick Chrage快充技术正经受着考验。谷歌在最新的Android兼容性定义文档中强烈建议OEM厂商不要在Type-C设备上使用具有收费专利的充电技术,而应该使用标准的USB PD供电协议,将矛头直指高通Quick Charge为代表的一众第三方快充技术。

  根据USB Type-C 3.1接口的规范,充电电压应保持在4.45-5.25伏之间,而高通QC 3.1所需要的电压便远超USB Type-C线的标准,由于这项技术是基于非标准信号及非标准USB连接,的确导致了各种兼容性问题。而且因为各手机内部配置不同、充电速率不同,如果用户混用设备,可能会造成安全隐患。USB-PD充电协议便旨在推广标准3A Type-C型充电器,实现兼容又相对可靠的快充。

  现在Quick Charge 4的到来显示高通已经做好了接招的准备:集成对USB Type-C和USB-PD的支持。这可能意味着,未来搭载Quick Charge 4的不同手机之间,混用充电器同样可以实现快充了。

  当然还有更快的充电速度,高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%,仅五分钟的充电,手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内,可充入高达 50%的电池电量。

  

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  △15分钟充电50%,Quick Charge 4的充电效率提升达30%

  Quick Charge 4的升级也包括对发热的控制,采用高通第三版INOV电源管理算法(最佳电压智能协商),据说加入了行业首创的实时散热管理技术,让你的手机在充电时温度更低,较上一代最多可以降低5摄氏度。毕竟因为三星Note7事件,大家越来越重视充电过热的问题。

  这主要是基于配置骁龙835的手机拥有电流电压的三重防护,以及防止过热的四重防护,而骁龙835也能管理电池使用寿命,让用户使用更长时间。也就是说,骁龙835将首先搭载Quick Charge 4。

  满足你对手机性能的期待

  虽然目前高通还没有透露关于骁龙835的具体信息,不过目前曝出的一些信息:升级版64位自主架构Kyro 200,四大、四小的八核设计,GPU核心升级为Adreno 540,LTE X16基带以及更快的LPDDR4x运存等,基本是可靠的。这自然意味着明年我们手上的旗舰机性能将比现在有新的突破,跑分创新高,不过你也别想得就这么简单,如今SoC很大程度还影响着手机产品的设计走向以及用户体验。

  按照高通的说法,骁龙835将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。要知道苹果iPhone7/7Plus去掉耳机孔的最大原因就是让出机身内部空间,以加入相机模组、Taptic Engine和一部分电池容量。

  那么我们可以预见,明年旗舰机的机身厚度进一步降低的基础上,不仅有更高性能,还有更大容量的电池以及更长续航时间。随着双摄手机的普及,预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案,新一代的Hexagon DSP也会带来更好的待机表现。

  伴随着VR概念的火热,高通也提出了会为这些运算做出单独优化,用以达到更好的效果。VR对手机图形处理能力的要求比以往高得多,骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍。另外,今年的热点是人工智能,骁龙820就已内置Zeroth神经处理引擎,能够自动根据用户拍摄的照片进行分类,相信骁龙835会更进一步,带来更加实用的机器学习功能,以后你的手机大概会更懂你。

 

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  △推测将首发搭载骁龙835的三星S8具有人工智能和深度学习能力

  买不到、不想等怎么办?

  能率先使用到一部搭载了最新旗舰芯片的手机,对于很多用户来说的确很有吸引力。不过就跟去年高通发布骁龙820之后很长一段时间内都供货紧张一样,明年初这一问题可能依然会持续。

  至于哪家厂商将拿到骁龙835首发的悬念并不大,即三星明年上半年发布的Galaxy S8系列。在骁龙835芯片量产初期也就是明年一季度,除了三星以外的其他厂商未必能拿到很多货。

  等到骁龙835在国产手机中大范围应用时应该是明年年中,因此对于近期有换机需求的用户来说,若实在没那个耐心等个小半年才换新机,那么作为Android旗舰新标配的骁龙821机型和近期性价比步步攀升的骁龙820机型仍然是不错的选择。

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