中国台湾地区存储器封测厂力成受惠于韩国厂商以外四大厂（东芝、西数、美光、英特尔）的3D NAND封测订单，法人看好明年营收有机会逐季创高，全年营收及获利亦将改写历史新高。

NAND Flash制程持续往1y／1z纳米进行微缩，但因芯片线宽线距已达物理极限，技术推进上已出现发展瓶颈，用1y／1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益，因此，NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND，但也因产能出现排挤，NAND Flash产出量明显减少，导致下半年价格强劲上涨。

为了扩大产能因应市场强劲需求，全球六大NAND Flash厂今、明两年的投资计划，全数集中在3D NAND的制程推进及扩产上。但考量到兴建一座新的3D NAND厂所费不眦，六大厂都调拨现在2D NAND产能移转生产3D NAND。以目前的进度来看，三星的大陆西安厂及韩国Fab 16已开始量产，其它业者则仍在进行产能调配，但量产计划将自明年第一季陆续展开。

三星除了现在的西安厂及Fab 16厂外，Fab 17及Fab 18将在明年上半年开始量产3D NAND。东芝及合作伙伴西数（WD）除了Fab 5开始提高3D NAND投片外，Fab 2将在明年第一季转进生产64层3D NAND，Fab 6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。

SK海力士M12厂已量产3D NAND，M14厂预计明年上半年导入量产，且将用来生产72层3D NAND芯片。美光及英特尔的部份，除了合作的IM Flash已开始量产3D NAND，美光F10厂将在明年第一季量产64层3D NAND，英特尔大连厂则已量产3D NAND，并将在明年开始量产新一代XPoint存储器。

对力成来说，3D NAND封测认证在第三季已经完成，第四季开始量产出货，包括东芝、西数、美光、英特尔等韩国业者以外的四大厂，都将3D NAND封测交由力成代工。由于3D NAND封装难度高，且需要较长的测试时间，对力成来说十分有利。