SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。

若按计划进行，海力士将成为全球第一个量产72 层3D NAND 的记忆体厂。为因应市场需求增温，海力士上周已宣布将在南韩与中国两地，投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 记忆体产能。

随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠记忆体做突破，但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 记忆体，至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。

据市调机构DRAMeXchange 统计，三星第三季NAND 记忆体营收来到37.44 亿美元，市占率较前季进步0.3 个百分点至36.6%。东芝以19.6% 位居第二，Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。

3D堆叠/制程微缩竞争白热化NAND供应商技术差距缩小

NAND Flash记忆体供应商为满足客户不断增加的储存空间需求，正分别从制程微缩与3D堆叠两个方向来提升NAND Flash的储存密度，且彼此间推出新世代产品的时间落差预料将明显缩小。可以预料的是，未来固态硬碟(SSD)等NAND Flash应用的单位储存成本将进一步下滑，开拓出更大的应用市场。

资料显示，三星(Samsung)、东芝/闪迪(Toshiba/SanDisk)、美光/IM Flash与SK海力士(SK Hynix)等主要NAND Flash记忆体供应商，在2016年皆已进入3D NAND时代。其中，进展最快的三星已率先于2015年下半进入48层MLC时代，预计在2017年初提升到64层MLC、2018年中进入96层MLC；东芝/新帝则持续追赶三星，先在2016年追上三星目前的进度，并预期在2017年中推出64层MLC。

进展相对较慢的美光/IM Flash及SK海力士，则已于2016年进入32层MLC时代，并将在2016年底、2017年初推出48层MLC、2018年中推出64层MLC。但值得注意的是，美光/IM Flash还有一条采用3D X-Point新架构的产品线将在2016年中开始量产上市，未来将对NAND Flash市场产生何种影响，有待后续观察。

而在制程节点方面，目前四大NAND Flash芯片供应商均已进入1y纳米世代，彼此之间差异不大。在进入1z纳米制程的时间点方面，除了东芝/新帝将在2016年下半率先导入12纳米制程，成为业界第一家进入1z纳米制程世代的供应商之外，其他三家业者之间都预计在2016年底～2017年初进入12纳米，时间落差只在一季之内。

由于3D结构可显著提升NAND Flash芯片的储存密度，因此各家业者均戮力发展3D NAND Flash。研究认为，2016年各家业者的3D NAND Flash产出比重，将从2015年的6%提升到20%。

随着64层MLC与1z纳米制程陆续到位，2017年单一NAND Flash颗粒的主流容量要达到128Gb以上，预料将不成问题，届时SSD、eMMC等NAND Flash储存应用的容量规格也可望跟着升级，价格竞争力更上层楼。