半导体大厂GlobalFoundries将在大陆成都12寸厂投入FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator）技术，加上大陆半导体业者亦跃跃欲试，引发业界关注。目前全球主要半导体大厂台积电、英特尔（Intel）、三星电子（Samsung Electronics）仍依循摩尔定律（Moore’s Law），持续往10、7及5纳米的FinFET（Fin Field-Effect Transistor）制程迈进，GlobalFoundries不仅跟著摩尔定律在7纳米世代加入战局，同时要在大陆开辟FD-SOI战场。

大陆投资半导体晶圆厂热潮方兴未艾，近期已有多座新的12寸厂设立，包括GlobalFoundries成都厂、紫光在南京及成都盖12寸厂，以及三星加码西安3D NAND晶圆厂等，加上过去两年包括台积电南京厂、联电厦门厂、福建晋华DRAM厂、长江存储武汉厂，以及中芯国际扩充8/12寸厂，凸显全球半导体大厂都在大陆疯狂盖厂。

大陆新盖的半导体厂无论技术到不到位，业者策略都是先盖厂再说，主要是看好大陆积极提升半导体芯片自制率政策，象是联电抢头香成立厦门12寸厂，台积电亦到大陆盖12寸厂。业界传出台积电把16纳米制程搬到南京12寸厂，获得大陆官方特殊礼遇，未来台积电在全球各地12寸厂生产的16纳米制程芯片，都可纳入大陆自制芯片的比重中，算是极优惠的条件。

近期GlobalFoundries成都12寸厂正式动土，原本GlobalFoundries要在重庆建立12寸生产线，把原本DRAM厂茂德8寸厂改成12寸厂，但最后协议未谈成，转去成都盖12寸厂，GlobalFoundries以实际行动展现掌握大陆这一波芯片自制商机的决心。

GlobalFoundries成都厂初期将先导入成熟的0.18和0.13微米制程，预计2019年第二阶段再导入FD-SOI技术，将技转自德国德勒斯登（Dresden）厂22纳米FD-SOI制程。半导体业者认为，全球所有新盖的12寸厂至少都是从28纳米制程切入，几乎找不到新的12寸厂从0.18微米制程切入，且GlobalFoundries未来将量产FD-SOI技术，而非主流的FinFET先进制程，在策略上相当特别。

事实上，台积电等半导体大厂过去都评估过FD-SOI技术，但最后仍选择正统的FinFET技术前进，而FD-SOI再度受到关注，除了因为低功耗特性外，成本较低亦是关键，适合大陆正要百花齐放的物联网应用，使得GlobalFoundries全新12寸厂重押FD-SOI技术。

近期大陆许多中小型IC设计公司都专注于物联网应用，由于不需要导入16、14纳米或是10、7纳米FinFET制程，既有成熟制程、甚至8寸厂就可以生产，加上FD-SOI技术较便宜，接受度相对较高。

尽管FinFET是主流制程，但未来走到10、7纳米世代后，花得起庞大费用的半导体大厂，恐怕仅剩下苹果（Apple）、高通（Qualcomm）等极少数厂商，使得低成本的FD-SOI在大陆市场有机会突围。目前上海新傲科技（Simgui）已量产8寸SOI晶圆片，其采用法国半导体材料供应商Soitec的Smart Cut技术，双方已签署授权合约。

另外，业界亦传出部分半导体大厂开始考虑FD-SOI技术，上海华力微除了宣示要生产28、14纳米FinFET制程外，亦传出正评估FD-SOI技术，因为以上海华力微在先进制程进度，要力拚14纳米FinFET技术非常紧迫且难度极高，若另曛FD-SOI技术领域，不失为另一种变通策略。