三星和台积电目前已量产10nm工艺，它们正计划在明年初量产7nm工艺，在这两家竞争的如火如荼的时候，中国最大的半导体制造厂中芯国际宣布它也将投入研发7nm工艺。

作为中国最大的半导体制造厂，中芯国际承担着推动中国制造升级转型的重任，获得了国家集成电路产业基金的支持。这几年中芯国际走上了稳步发展的道路，营收和净利润连续高速增长，这让它有了加大研发投入的底气，缩短工艺研发周期。

2015年、2016年中芯国际营收增速分别为13.1%、30.3%，呈现加速增长的势头；同期联电的营收增速分别为-1.3%、2.1%。2016年中芯国际的资本支出增加至27亿美元，创下历史新高，同期联电的资本支出为22亿美元，这是中芯国际首次在该项投入方面超过联电。

中芯国际已经制定了在2020年赶超中国台湾的第二大半导体代工厂联电的目标，联电也是全球第四大半导体代工厂，不过由于它在工艺研发方面落后于台积电和三星，眼下又因为14nmFinFET工艺进展不如预期，去年其在厦门的半导体工厂投产后未能引入28nm工艺而只能采用40nm工艺。

去年初中芯国际成功投产28nmHKMG工艺，之后选择跳过20nm工艺直接开发14nmFinFET工艺，以快速追赶三星和台积电，缩短与它们的工艺差距，预计14nmFinFET工艺将在明年上半年投产，这比原来的预计到2020年投产的时间提前了两年时间。

中芯国际的工艺研发进展速度获得加快的另一个原因是它获得了高通、华为海思、比利时微电子中心的支持。这几年全球最大的半导体代工厂台积电一直都优先照顾苹果，这让高通、华为海思等芯片企业感到担忧，希望支持中芯国际的发展来分散风险，确保自己获得先进的工艺产能。

正是在这样的情况下，中芯国际在当前仍然需要投入资源研发14nmFinFET工艺的情况下依然可以分出部分资源研发7nm工艺，这也意味着它决心再次跨越10nm工艺以研发更先进的工艺来追赶三星和台积电。

除了中芯国际外，华虹宏力也成功投产了28nm工艺，紫光去年收购了中芯国际建立的武汉新芯半导体工厂近期它宣布将投资300亿美元建立南京半导体工厂，中国制造在位居上游的半导体制造业上大力投入体现了它们在制造方面升级转型的愿望，而中芯国际在半导体制造工艺研发上所取得的领先优势代表着中国制造实力的上升。