3 月 23 日消息，晶圆代工龙头台积电已宣布计划于 2027 年终止氮化镓 (GaN) 晶圆的生产，与此同时三星电子将其视为重要增长点。根据韩媒 THE ELEC 当地时间本月 19 日的报道，三星的 8 英寸 GaN 生产线即将就绪。

三星半导体最初在 2023 年表示其功率半导体晶圆厂将于 2025 年投产，不过实际进度要慢上一些。最新行业消息显示，三星的首条 8 英寸 GaN 生产线最快 2026Q2 投产，预计初期营收规模在 1000 亿韩元（注：现汇率约合 4.62 亿元人民币）以内。

报道指出，三星电子已建立除芯片设计外的 GaN 解决方案体系，可自产 GaN 外延晶圆。

除 GaN 外，三星电子还计划在年内投运碳化硅 (SiC) 功率半导体晶圆代工生产线。在 SiC 上三星拥有包括设计在内的全流程能力，可与 GaN 在不同耐压区间形成互补。

氮化镓简介

　　这是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。