半导体制程谁领先？其实单就芯片制造技术的角度来看，英特尔的确仍是市场龙头，不论是高介电金属闸极（HKMG）或是3D电晶体架构，仍是领先全球最先采用的厂商，之后台积电及三星才跟进。虽然台积电今年已量产10纳米制程，但至今仍不敢讲出技术上已超越英特尔这句话。

若由摩尔定律的定义，也就是集成电路中的电晶体数量，每隔18～24个月就会增加一倍的情况来看，英特尔的制程节点的确是按摩尔定律发展。就最先进的10纳米鳍式场效电晶体（FinFET）技术而言，每平方公厘内含电晶体数超过1亿个，电晶体闸极间距（gate pitch）达54纳米，最小金属间距（min metal pitch）仅36纳米，都已创下半导体业界新纪录。

以台积电或三星的10纳米FinFET制程来看，不仅芯片集成度不如英特尔，闸极间距约70纳米左右，最小金属间距约在40纳米左右，也与英特尔10纳米技术有所差距。也因此，英特尔才会在昨日的技术及制程大会中，强调自己仍是全球技术最先进的半导体厂。

不过，英特尔的主力产品是处理器，处理器本来就是要追求最高的芯片集成度，才能不断的提升运算时脉速度。但对晶圆代工厂台积电等厂商来说，许多客户的芯片并不是要追求最高的集成度。如手机芯片来说，运算时脉很快其实不代表什么，更低的运算功耗、更多的功能整合，反而才是重点。

对台积电来说，该公司的10纳米制程本来就跟英特尔的10纳米制程不一样，微缩的速度、制程节点的界定等，各有各的优缺点。简单来说，英特尔在最小闸极间距及最小金属闸距上，以及芯片集成度上，的确胜过台积电，但在功耗的表现上，台积电的每一世代制程微缩，都可让功耗明显降低，英特尔的制程表现似乎就没那么明确。

总体来看，英特尔及台积电在半导体技术上是各擅胜场，且两家业者是处于既竞争又合作的关系之中，但在先进制程上、两家业者却有个共通点，那就是“摩尔定律仍然有效”。