半导体市场研究企业IC Insights最新发布统计，今年资本支出超过10亿美元半导体厂家预料将增至15家，创下近十年以来新高点。其中，大陆晶圆代工厂中芯国际排名第六，预料随着愈来愈多大陆晶圆厂盖厂与扩产需求，这份名单可望愈来愈多大陆晶圆厂上榜。

根据最新IC Insights报告，除了德国英飞凌科技与日本瑞萨电子公司之外，欧洲芯片制造商STMicroelectronics 与台湾地区南亚科都进入“十亿美元资本支出”名单。

时隔五年之后，英飞凌有望再次进入十亿美元俱乐部，瑞萨也是十多年来首次资本支出达到10亿美元线，看好汽车半导体从而加大投资是这两家进入资本支出排行榜前列的主要原因。

去年，只有11家芯片厂商在资本支出方面投入超过10亿美元。而在2013年，这一数字则仅为8家。

按照IC Insights最新预测，2017年也将是资本支出超过10亿美元之厂商数量最多的一年，2007年全球金融危机爆发，当年共出现16家超过10亿美元资本支出的厂家。

根据IC Insights统计，今年入围资本支出10亿美元俱乐部的这15家企业将占2017年全球半导体行业资本支出总额的83%，这也是近十年以来最高的占比水平。

IC Insights表示，这15家公司当中，有一部分可能倾向于从明年开始逐步下调资本支出额度。IC Insights称，尽管三星、英特尔、台积电、SK海力士、美光、中芯、联电、GlobalFoundries及东芝等九大全球性巨头一直保持着极高的资本支出额度，但其它几家新进的厂商恐怕只会在少数年份内投入超过10亿美元的支出。

IC Insights表示，“南亚科技目前受益于DRAM市场需求的激增，而一旦市场趋于疲软，其资本支出将快速下滑至10亿美元以下。而STMicroelectronics已经明确表示，今年的支出属于特殊情况。英飞凌、索尼与瑞萨这些资本支出略超过10亿美元的厂商将在未来一到两年内回归至这条标线以下。”

DRAM晶圆厂 进入资本扩充新阶段

英特尔、三星、格芯（GlobalFoundries）和海力士（SK Hynix）四家资本支出计划增长最多。相比2016年，三星预计增加32亿美元支出，英特尔预计增加23.75亿美元支出，格芯预计增加8.65亿美元，海力士预计增加8.12亿美元，四家公司支出增加值合计为72.52亿美元。2017年全行业资本支出计划比2016年增加80.21亿美元，三星、英特尔、格芯和海力士四家资本支出增加值合计占了90%。

产品类别中，DRAM/SRAM资本支出同比增长31%，增长率居首。2016年第三季度开始的DRAM价格疯涨，让DRAM制造商再一次步入增加资本支出阶段。

2016年投资于闪存的资本支出为146亿美元，远高于DRAM产品资本支出（85亿美元）。IC Insights估计，2016年和2017年投入到闪存的资本支出主要用于3D NAND闪存工艺技术，而不再投入到平面闪存工艺。2017年闪存资本支出增加主要来自于三星，三星将扩大其在韩国平泽市（Pyeongtaek）超大新晶圆厂的3D NAND产能。

中国晶圆厂可望后续新增

IC Insights总裁Bill McClean指出，他认为，随着各新兴大陆晶圆企业崛起，其未来几年内很可能投入超过10亿美元的资本支出。着眼于未来几年内，本土将有超过20家新的芯片晶圆厂投入生产，而中国亦计划在10年之内投资超过1600亿美元强化国内半导体行业发展。

以名列第六的中芯国际来看，在业绩取得较大幅度增长的同时，资本支出同样也在大幅增加。中芯国际2016年资本开支为26.26亿美元，其中12.4亿美元用在了北京合资厂的产能扩充上。中芯国际预计2017年资本支出约为23亿美元，其中9亿美元继续用于北京厂的产能扩充。另外用于先进工艺的如28纳米的研发也是其着墨重点。