采用格芯的22FDX? 技术的集成解决方案将减少NB-IoT及LTE-M应用的功耗、面积及成本

　　美国加利福尼亚圣克拉拉，及中国上海（2017年7月13日）——今日，格芯（GLOBALFOUNDRIES，原名格罗方德）与芯原微电子（VeriSilicon）共同宣布，将携手为下一代低功耗广域网（LPWA）推出业界首款单芯片物联网解决方案。双方计划采用格芯的22FDX? FD-SOI 技术开发可支持完整蜂巢式调制解调器模块的单芯片专利，包括集成基带、电源管理、射频以及结合窄带物联网（NB-IoT）与LTE-M 功能的前端模块。相较于现有产品，该全新方案可望大幅改善功耗、面积及成本。

　　随着智慧城市、家居与工业应用中互联设备的数量日益增加，网络供应商也着手开发全新的通讯协议，以期更加符合新兴物联网标准的需求。LPWA 技术利用现有的LTE频谱及移动通信基础设施，但更着重于为例如联网水表和煤气表等传输少量低频数据的设备提供超低功耗、扩大传输范围以及降低数据传输率。

　　两大领先的LPWA连接标准包括在美国前景看好的LTE-M，以及逐渐在欧洲、亚洲取得一席之地的NB-IoT。举例而言，中国政府已将NB-IoT定为明年全国部署的对象。根据美国市场研究公司 ABI Research 的研究，该两大技术的结合将推动蜂窝M2M模块的出货量到2021年可能逼近5亿。

　　格芯与芯原微电子目前已着手开发IP套件，以双模运营商等级的基调制解调器带搭配集成的射频前端模组，旨在让客户开发出成本及功耗优化的单芯片解决方案，以供全球部署。该款设计将采用格芯的22FDX工艺，运用22nm FD-SOI技术平台为物联网应用提供成本优化的微缩能力并降低功耗。22FDX是唯一能够以单芯片高效整合射频、收发器、基带、处理器和电源管理元件的技术。相较于现有的40nm技术，这款集成方案预计在功耗和裸片尺寸方面，将达到80%以上的提升。

　　格芯产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示：“低功耗、电池供电的物联网设备正处于爆发性增长态势，22FDX技术完美契合了其需求。对中国市场带来的机会，我们尤为兴奋。中国正以领先姿态在全国范围大力发展物联网与智慧城市。芯原微电子是我们重要的合作伙伴，他们协助我们在成都建设以全新300mm晶圆厂为中心的FD-SOI生态系统。此次新的合作计划也将进一步深化我们的长期合作关系。”

　　芯原股份有限公司创始人、董事长兼总裁戴伟民表示：“自五年前开始，作为芯片平台即服务 (SiPaaS) 的设计代工公司，芯原即开始开发 FD-SOIIP，并基于FD-SOI 技术一次流片成功了多款芯片产品。就物联网应用而言，除了成本优势之外，集成式射频、体偏压以及嵌入式内存如MRAM，都是28mm CMOS 工艺节点往后，FD-SOI 技术所具备的重要优势。在格芯22FDX上集成射频与功率放大器后，基带和协议栈可在高能效且可编程的ZSPnano 上得以实现，ZSPnano 专为控制和具有低延迟的数据流、单周期指令的信号处理而优化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圆厂，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M单芯片解决方案等 IP 平台，都将对中国的物联网和 AIoT(物联人工智能) 产业带来重大的影响。”

　　格芯与芯原微电子预计将于2017年第四季度对基于此集成方案的测试芯片进行流片，并完成验证。双方计划于2018年年中获得运营商许可。