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GaN市场再揿波澜,迎娶不成就入赘,英飞装RF Power并入科锐

2018-03-10

事件

 

2018年3月6日,科锐(Cree)宣布将斥资约3.45亿欧元(约4.25亿美元)收购英飞凌(Infineon)的射频功率(Radio Frequency Power)事业。

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科锐首席执行官Gregg Lowe表示,此次收购英飞凌的RF POWER部门是科锐公司发展战略的一个关键步骤,它加强了子公司疾狼((Wolfspeed)在射频氮化镓技术领域的领导地位,并提供了更多市场,客户和封装专业知识,可以帮助疾狼加快的由4G网络向革命性的5G网络转型。

 

英飞凌首席执行官 Reinhard Ploss则指出,科锐及疾狼将会是英飞凌杰出射频业务的优质买家,将会传承英飞凌在射频领域的优越表现。我们对这单交易的前景非常看好。分拆了这个业务之后,英飞凌将会继续推动关键增长领域,如电动汽车、自动驾驶、可再生能源,并将为无线市场保留强大的技术组合。

 

英飞凌为促成此交易,在位于德国雷根斯堡的8寸晶圆制造工厂内建立LDMOS晶圆及相关组件的长期供应协议,在位于马来西亚马六甲的封测工厂内提供组装和测试服务。

 

英飞凌射频功率产品副总裁兼总经理Gerhard Wolf说:“凭借我们高超的技术和敬业的团队,先进的技术和对卓越商业的承诺,我们期待着随着5G移动标准的不断发展,为我们的客户提供无缝服务。”

 

按照英飞凌官方发布的新闻稿中可以知道,出售给科锐的资产包括:

 

1、英飞凌位于美国加州Morgan Hill 的资产,当中包括了LDMOS 和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的封装和运营;

 

2、拥有良好客户基础和领先无线基站制造设备经验的工厂、员工和驻点的支持人员;

 

3、在美国Morgan Hill、Chandler,芬兰、瑞典、中国和韩国等地的约260名员工;

 

4、一个过渡服务协议,以保证业务平稳过渡;期限约为90天。

 

收购完成后,疾狼将成为业界拥有产品线最广的射频功率组件供应商,包括LDMOS、GaN产品。

 

而就在2018年2月26日,也就是该起交易达成前10天,科锐与英飞凌达成一项碳化硅晶圆供应协议,科锐向英飞凌供应先进的6寸碳化硅晶圆,金额总计将超过1亿美元,这将扩大英飞凌的产品供应范围,以应对当今高速增长的市场。


相信这次收购交易,美国CFIUS不会再阻止了。因为在2017年2月CFIUS曾阻止英飞凌收购疾狼。

 

英飞凌收购疾狼受阻

 

在2016年7月14日,英飞凌发布公告,公司将斥资7.4亿欧元(约8.5亿美元)收购科锐旗下子公司疾狼,包括和电源、射频及相关的SiC芯片基板业务。

 

疾狼原是科锐公司的功率和射频业务部门,于2015分拆成立,原计划单独上市,2015年9月曾经在股市上公开募股。但由于引起了科锐股价的大幅下滑,于是这次上市计划被迫搁浅。

 

科锐公司董事长兼首席执行官Chuck Swoboda当初指出:“经过慎重考虑和尽职调查,我们认为将疾狼出售给英飞凌,对我们的股东、员工和客户而言是最明智的决定。我们相信,被英飞凌收购之后,疾狼能够更好地让其独具特色的碳化硅和氮化镓技术实现商业化。”

 

英飞凌科技股份公司首席执行官Reinhard Ploss博士在当时也表示:“并购疾狼,将为我们带来一个独特的增长机会。疾狼和英飞凌的业务和技术专长高度互补,我们可以融汇两家企业在化合物半导体领域领先业界的专业特长。这可以让我们依托当今市场上最广博和最先进的创新化合物半导体技术和产品,为我们的客户创造附加值。收购疾狼后,我们将成为全球排名第一的碳化硅功率器件供应商。我们还希望成为排名第一的射频功率器件供应商。这可以加快这些创新技术的市场化步伐,满足现代社会的需要,特别是对于能源效率、联接和交通的需要。”他预期疾狼一直到2020年,每年的销售成长可望在20%这样的水准。

 

正当业界关注此交易时,2017年1月8日,英飞凌发布声明表示,美国外来投资审查委员会(CFIUS)已告知英飞凌收购科锐旗下疾狼对美国国家安全构成威胁。 声明中提到,CFIUS并未说明有何补救措施可以让交易案过关。

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尽管英飞凌和科锐双方努力寻求替代方案(修改现有交易条件)可以降低或解决监管疑虑,但川普政府未松口。

 

DLA Piper LLP监管律师Brian Chilton指出,英飞凌收购疾狼案被阻说明美国政府将保护国防工业高度重视的技术,美国不想丧失优势、因此不管收购方是德国厂商或中国厂商都会予以回绝。

 

美国佬为何棒打鸳鸯?担心军事机密泄露

 

疾狼是碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)的全球领先供应商。作为美国最大的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)射频晶圆处理技术生产商,疾狼的GaN HEMT和MMIC能够为广泛的射频和微波应用提供创新,性能和效率,适用于商业和军事领域。而疾狼曾多次参与美国军用事项目的研发,所以被美国政府认定为有威胁到其国防安全的可能。

 

与美国军火巨头洛克希德·马丁(Lockheed Martin)公司合作,针对美国空军新一代的“太空篱笆(SPace Fence)”项目,共同携手开发一款氮化镓高功率放大器。疾狼承担了该款产品的晶圆制造任务。

 

疾狼的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)产品通过了KCB Solution严格测试,确保其产品符合基于美国军用标准S级和K级要求的NASA EEE-INST-002 1级标准。由于在KCB Solutions通过测试,多家公司已经指定疾狼的氮化镓器件应用于他们的太空产品。

 

但科锐2月16日发布的交易终止新闻稿中,当时科锐的董事长兼首席执行官Chuck Swoboda表示,尽管我们对疾狼向英飞凌的销售无法完成感到失望,但是鉴于这一发展,我们将把重点转移到发展疾狼的业务。今年疾狼的营运表现良好,因为我们的客户已经进一步认识到我们独特技术的价值,并且作为科锐的一部分已经走在了一条伟大的道路。公司的报表理定步说明我们有足够的现金流使我们有能力投资疾狼,同时继续追求我们的LED和照明增长计划。我们相信投资发展这三项业务将为我们的股东创造最大的价值。

 

一年前Chuck Swoboda的这番话透露,未来科锐在疾狼的业务上势必会有大动作。果不其然,反向收购英飞凌的RF POWER业务,表明科锐迈出了前行的一大步。

 

科锐的财报表明,2017年疾狼的业务收入是2.21亿美元,较2016年的1.76亿美元成长超过25%。财报还指出,主要是销售数量增长了29%,而平均单价下降了2%。

 

GaN市场

 

有专家称,目前GaN不会完全的取代任何一项技术,但它也会继续的渗透进这些市场,使自己更具价格竞争力。LDMOS每年也会进一步研发提高性能,所以这些市场上两者将会继续竞争下去,在未来,GaN必将出现亮眼的表现。

 

英国宇航系统公司(BAE)认为在一段很长的时间内,GaN的微波应用将持续繁荣。主要在高功率领域,频率从1到100GHz。尽管如此,GaN也不会完全的替代GaAs和Si,毕竟GaAs和Si都有独特的性能,而且其相关的经济体也会确保这些材料的持续生存。GaN的爆发是要在其高产技术成熟而且晶圆尺寸扩大,成本降低的时候。

 

GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。GaN的主要竞争对手在射频领域的是LDMOS,在高频领域是GaAs。LDMOS依然主宰着高功率器件市场。

 

由于GaN性能与LDMOS基本相当甚至更胜一筹,随着全球各公司开始向大尺寸晶圆迈进,GaN的价格将开始对LDMOS形成压力:Qorvo建立了新的6寸碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC),并已经量产;而更多的公司如OMMIC、MACOM都开始生产硅基氮化镓(GaN-on-Si),以便在标准工艺上处理更大尺寸的晶圆。

 

法国调研机构Yole认为国防市场是过去几十年来RF GaN技术发展的主要动力。源自美国国防部的消息,GaN器件已经在新一代天线和地面雷达中得到实施。其高功率能力提高了雷达的检测范围和分辨率,设计人员也越来越熟悉这项新技术。不过,这个军事技术是非常敏感的。而且随着GaN器件在国防技术的应用中的逐渐普及,其在非军事领域的发展将受到影响。

 

同时Yole认为电信和国防市场将成为非军事领域行业的主流。而且随着5G网络发展步伐的加快,电信市场将从2018年开始为GaN器件带来巨大的机遇。众所周知,诸如5G等新一代蜂窝基础设施制式将采用高达80 GHz的频率。只有化合物半导体器件能够在如此之高的频率下实现所需的效率。硅基氮化镓器件支持更高的组件集成度,在高达10 GHz的工作频率下具备明显优势。碳化硅基氮化镓器件可以在高达80 GHz的频率下实现最大效率。两种技术对于新一代蜂窝基础设施制式均十分重要。与现有的硅LDMOS和GaAs解决方案相比,GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需的高功率/效率水平。而且,GaN器件的宽带能力是实现重要新技术(如多频带载波聚合)的关键技术因素之一。