《电子技术应用》

抢攻全球NAND Flash市场 美光宣布在新加坡兴建第3工厂

2018/4/9 6:00:00

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在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口,导致价格继续维持高位的情况下,包括国际大厂三星、SK海力士、东芝,以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际,7日美商存储器大厂美光(Micron)也宣布扩产,以补足市场供不应求的缺口。

美光指出,继目前在新加坡拥有Fab 10N、Fab 10X两座NAND Flash快闪存储器工厂之后,将在当地兴建第3座NAND Flash快闪存储器工厂。新工厂的占地面积约16.5万平方米,计划2019年年中前后完工,2019年第4季开始投产。

不过,美光没有公布新工厂的具体投产NAND Flash快闪存储器类型和产能。但是,根据外界的预估,其投产的NAND Flash快闪存储器产品类型,应该是现有64层堆叠快闪存储器的下一代产品。

另外,美光除了宣布将在新加坡兴建第3座NAND Flash快闪存储器工厂之外,美光还表示,将在新加坡扩大当前的研发规模,这将使得当地员工总数,有望从目前的7,500人增加到1万人以上。

除了美光在NAND Flash快闪存储器的发展外,在DRAM方面,值得一提的是,不久之前,美光的台中工厂也因为供氮设备出现电路问题,发生氮气供应故障的情况,影响到部分的产品。对此,美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法说会也已经证实此事。

Sanjay Mehrotra表示,氮气供应受阻事件恐将导致美光本季DRAM产出减少2%到3%。而美光已经将相关故障设备被送往美国进行维修,并于日前重新回到工厂,并且在4月份开始重新投入生产的工作。


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