9月18日消息，据路透社报道，中国DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）正准备进军NAND Flash市场，挑战三星、SK海力士等头部厂商，虽然这也将与长江存储（YMTC）正面竞争，但这也是当前半导体行业增速最快的细分领域之一。

业内人士认为，人工智能（AI）强劲需求造成的全球存储短缺将至少持续至2027年。SK海力士首席执行官郭鲁正曾在7月表示，从供应链角度来说，2027年可能是存储市场最糟糕的一年。

目前三星、SK海力士、美光这三大原厂都把主要资源投放在DRAM和高带宽内存（HBM），限制了NAND Flash产能的扩充，令这一领域的短缺加剧。市场研究机构TrendForce则预计，NAND Flash的供应紧张要等到明年下半年才会缓解。

据两名消息人士透露，长鑫存储计划在其北京新工厂建立一条NAND Flash的研发生产线。一名消息人士称，该公司还已在北京设立了一家研究院，相关项目包括NAND Flash的研发。

第三名消息人士表示，长鑫存储已就其NAND Flash计划与客户展开讨论，其中包括一家新成立的初创公司。该公司打算采购长鑫存储的NAND Flash芯片，用于AI系统和超级计算机的存储产品。不过，消息人士拒绝透露这家公司的名称。

目前尚不清楚长鑫存储在北京的NAND Flash研发产线何时开始运营，也不清楚长鑫存储是否打算从研发和试产阶段转向大规模商业化制造。

根据集邦咨询的数据，三星在今年第二季度以29.3%的市场份额成为全球营收最高的NAND Flash供应商。SK海力士位居第二，美国美光科技紧随其后。

长鑫存储和长江存储在中国被称为存储芯片行业的“双星”，长鑫存储主导中国的DRAM生产，而长江存储则是中国领先的NAND Flash制造商。

随着长鑫存储进军NAND Flash市场，必然与长江存储产生直接竞争。然而，长江存储似乎也考虑进军DRAM市场，与长鑫存储进行竞争。今年4月，路透社曾报道长江存储已向客户送出低功耗DRAM样品，正在权衡是否进入长鑫存储的核心市场。

尽管这两家公司都落后于前三大国际对手，且更倚重中低端产品，但供应紧张已增强了它们在市场上的定价能力。路透社7月报道称，在某些情况下，它们的报价甚至高于外国竞争对手。