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大基金总裁丁文武密集调研宽禁带半导体发展情况

2018-04-11

2018年4月9-10日,国家集成电路产业投资基金总裁、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟名誉理事长丁文武先生一行密集调研宽禁带半导体产业的情况,调研的单位包括基本半导体、英诺赛科

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4月9日首先莅临基本半导体考察调研。基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武先生介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品,包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。

 

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基本半导体总经理和巍巍博士介绍了公司的发展情况。基本半导体通过引进由海归人才和外籍专家组成的高层次创新团队,对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面进行研发,覆盖产业链各个环节,建立了一支国际一流的研发和产业化团队。基本半导体立志于整合海外创新技术与国内产业资源,打破国外技术垄断,把基本半导体打造成为行业领军企业,实现中国在宽木材带半导体领域的弯道超车。

 

丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定,并鼓励公司团队再接再厉,立足创新驱动,不断发展壮大,成为中国宽禁带a半导体产业的领军企业。

 

4月10日来到英诺赛科进行调研座谈。英诺赛科董事长骆薇薇博士向丁文武总裁介绍了公司近期投产的“8英寸硅基氮化镓”生产线,重点介绍了自主研发的硅基氮化镓增强型功率器件和面向5G通信的射频器件,随后参观了洁净车间和产品应用展厅。

 

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丁文武表对英诺赛科在8英寸硅基氮化镓量产线建设、芯片研发和制造等方面取得的进展给予充分肯定,并为英诺赛科这一平台吸引到众多国际一流企业的半导体骨干人才感到振奋。希望公司要发挥人才优势,把握市场先机,同时在生产规模上再上台阶。

 

宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求,是半导体材料领域最有前景的材料,市场潜力巨大。

 

宽禁带半导体应用最广的是氮化镓和碳化硅。碳化硅是开发最早的宽禁带半导体材料,早在1824年就被发现了,但直到1955年,才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年,商业化生产的碳化硅开始进入市场,但直到进入21世纪后,碳化硅的商业应用才算全面铺开。目前已被证实的碳化硅多形体就超过200种,最常见的碳化硅多型体有立方结构的3C-SiC和六方结构的6H-SiC、4H-SiC。在现今已开发的宽禁带半导体中,碳化硅是技术发展最成熟的一种。虽然氮化镓相比碳化硅的发展起步较晚,但是氮化镓半导体工艺近20年来发展态势极为迅猛。

 

目前,宽禁带半导体已成为高温器件、节能功率器件、高频器件、微波器件、抗辐射器件领域应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。

 

不过,国内在宽禁带半导体产业化方面进度还比较缓慢,不过令人欣喜的是,国家层面已经在一定程度上认识到了相关技术对国防军工、信息技术等产业的价值,不断投入科研经费,鼓励相关单位进行技术研究,以求早日实现产业化方面的突破。


相信随着国外产业高速发展的刺激,加上国内政策方面的支持,国内的宽禁带半导体产业必将迎来曙光!