上海宏茂微电子为应对大股东紫光集团的需求，积极扩充存储器封装产能，据称已经在2018年第一季已经完成募资计划。

最新消息，宏茂二号厂房里的部分驱动IC封装机台已经卖给南茂，运回台湾，以腾出厂房空间安装3D闪存封装设备。且宏茂微电子3D闪存项目的相关募资规划已于2018年第一季完成，未来宏茂微电子的业务成长将会更好。

上海宏茂微电子为应对大股东紫光集团的需求，积极扩充存储器封装产能，已经在2018年第一季已经完成募资计划。

4月底，长江存储总经理杨士宁就带队到宏茂微电子就3D闪存封装的项目进度、未来计划、产能预测、系统及团队人员的准备状况进行了解，并希望长江存储能与宏茂微电子在3D闪存存储器的项目上共同成长。

宏茂微电子上海宏茂成立于2002年6月，原是泰林科技的子公司，成立伊始就开始内存封装，2005年6月自有厂房完工后，开始安装LCD驱动IC设备。2015年南茂正式合并泰林科技，宏茂微成为南茂旗下全资子公司ChipMOS BVI的全资子公司，封装形式有TSOP、TCP、COF、COG。

2016年11月30日，ChipMOS BVI完成出售宏茂微电子54.98%的股权予紫光旗下的西藏紫光国微投资有限公司及其他策略投资人，交割后，紫光国微持有宏茂微电子48%的股权，成为第一大股东，ChipMOS BVI持有宏茂微电子45.02%的股权，其他策略投资人及宏茂微电子员工共同持有6.98%的股权。

在紫光入股后，希望宏茂能借助台湾南茂在存储器封装技术，加大存储封装的能力，以应对即将投产的长江存储的3D闪存封装。据悉宏茂于2016年2月新落成的二号厂房将是3D闪存的生产基地。

长江存储于2018年4月11日正式开始设备MOVE IN，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。