最近三星公布了关于生产7nm、5nm、4nm和3nm的路线图，三星的新路线图重点为其客户提供更多针对各行业的系统设备的节能系统。三星执行副总裁兼代工销售与营销主管Charlie Bae表示：“趋向于更智能，互联的世界，业界对芯片供应商的要求越来越高。

　　三星表示目前基于EUV光刻技术的下一代工艺技术是7nm Low Power Plus，三星的7LPP解决方案将在今年下半年投入生产，并将在2019年上半年扩大规模。

　　同时关于5nm、4nm、包括3nm的技术目前也正在开展，按照三星的预想，三星路线图的最后一步是3nm Gate-All-Around Early / Plus。使用更新型的晶体管可以解决FinFET的物理缩放问题。

　　相较于三星的激进，台积电一直采用稳扎稳打的方式似乎更为稳妥，当年在20nm工艺上的不良表现导致了高通骁龙810出现了严重的发热问题，后来在16nm上面选择了更加沉稳的方式，而激进的三星则是全力研发14nmFinFET工艺，最终使得2015年初成功投产并领先台积电半年左右。

　　在10nm工艺上，台积电于2017年初投产，而三星则赶在2016年10月投产，再次取得领先优势。同样的在当前的7nm工艺上三星再次采取了激进策略，引入先进的EUV技术预计在今年下半年投产，而台积电继续采取稳健策略先研发7nm工艺在今年初投产然后到明年引入EUV技术，这再次让三星取得领先的制程工艺优势。

　　不可否认的是，台积电在每个阶段的深耕更能使自己的产品有更好的良品率，特别是在功耗的控制上，台积电相对于三星做的更加的好。但很明显的是随着三星越来越多的动作，台积电的订单正在变少，市场上对于芯片的需求量越来越大，对于芯片的质量要求也越来越高，无论是三星还是台积电，只有不断的保持自己在这个领域的制造优势，才能不被竞争对手淘汰。