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三星侵犯韩大学FinFET专利,被判罚款四亿美金

2018-06-20

日前,据彭博社报道称,德克萨斯州联邦陪审团日前作出一项裁决,三星电子因侵犯韩国技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,简称KAIST)一项专利技术,为此需向后者支付高达4亿美元的赔偿。

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据悉,韩国技术学院曾发起诉讼,指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺相关的专利技术。三星起初对韩国技术学院的研究不屑一顾,认为该技术只是一种潮流技术。但在其对手——英特尔公司开始向这项技术的发明者取得许可授权时,围绕三星是否侵权的力量博弈发生了改变。随着芯片产品制程的缩小,鳍片晶体管技术能够提高芯片性能,同时降低芯片功耗。


作为全球最大的芯片制造商,三星向陪审团表示,它与韩国技术学院合作开发了这项技术,并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。


三星的这一侵权行为被裁定为“故意为之”,或“有意为之”,这意味着法官可以将三星所需支付的赔偿金额增加到陪审团规定的三倍。


这项技术被认为是生产智能手机处理器的关键。GlobalFoundries和三星利用了这一技术来制造芯片。而作为最大的手机芯片制造商,高通则是两家公司的客户。上述公司对此判决提出了联合辩护。


这一事件标志着韩国顶级研究型科学与工程机构——韩国技术学院与三星这家对该国经济至关重要的公司之间展开的冲突。双方律师均拒绝对判决发表评论。


不止三星,高通、格芯也是被告


南韩科学技术院(KAIST)专利管理子公司KAIST IP 于2016年11 月30 日向德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼,控告三星电子、高通(Qualcomm)和格芯(GlobalFoundries)擅自盗用其所拥有的「FinFET」技术专利,要求支付专利使用费。


KAIST IP 指出,「长期以来持续和三星就支付使用费一事进行协商,不过三星全面拒绝,导致协商破裂。且除了三星、高通和格罗方格之外,今后也计划对台湾台积电、苹果(Apple )提告」。


KAIST旗下智财权管理机构KAIST IP美国分公司表示,最初三星对有关FinFet技术的研究不屑一顾,认为这只是种短暂流行的趋势。但在英特尔(intel)开始授权相关技术专利并投入开发产品后,三星的态度丕变。


按照KAIST的说法,三星是在邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向公司工程师展示FinFET技术原理时盗取了这项技术。李钟浩是KAIST合伙人之一。


“三星在分文未花的情况下盗取了李钟浩的发明,从而削减了开发时间和成本。随后,三星在没有取得授权或支付适当赔偿金的情况下继续使用李钟浩的发明,”KAIST称。


KAIST IP还表示,三星、格罗方格、台积电使用FinFET 技术生产、贩售手机芯片,但却不支付使用费。三星、格罗方格供应芯片给高通,台积电则帮苹果生产iPhone 用芯片。


被告专利信息


南韩专利智财管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美国设立之子公司,该公司隶属于韩国科学技术研究院(KAIST)是为促进所开发的知识产权和技术而成立。KAIST成立于1971年由南韩政府设立,是韩国第一个研究型科学与工程机构,目前拥有超过9000名学生和1100名教授研究员,在全球拥有超过3,300项注册专利。同时,KAIST是南韩的研究型大学,与首尔国立大学、高丽大学、延世大学和成均馆大学,并列为南韩前五大大学。

 

本案系争专利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method thereof),有关于鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术。原专利权人Lee Jong-Ho是首尔国立大学电子工程系教授,后于2016.07.20将专利权转移给KAIST IP CO., LTD,后又于2016.08.10转给旗下美国子公司KAIST IP US LLC ,以便在美国法院主张专利权进行诉讼。


公开号US6885055 B2

申请书编号US 10/358,981

发布日期2005年4月26日

申请日期2003年2月4日

优先权日期2003年2月4日

其他公开专利号US20040150029 

发明人Jong-ho Lee (李钟浩) 

原专利权人Lee Jong-Ho 

目前专利权人KAIST IP US LLC 


近几年来,半导体最热门的讨论就是「FinFET」技术,被认为是目前高性能手机中重要的核心技术之一,且已被多家厂商采用,例如:iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新晶体管架构很可能为鳍式晶体管(FinFET),还有三星电子Galaxy系列在内的10多款手机都使用了FinFET。代表FinFET开始全面攻占手机处理器、三星与台积电较劲,将10纳米FinFET正式纳入开发蓝图、联电携ARM完成14纳米FinFET制程测试。


 更先进3D FinFET由美国加州大学伯克莱分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授发明了「鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)」,把原本2D构造的MOSFET改为3D的FinFET,因为构造很像鱼鳍,因此称为「鳍式(Fin)」。 


值得一提的是,这个技术的发明人胡正明教授,就是梁孟松的博士论文指导教授,换句话说,梁孟松是这个技术的核心人物之一,台积电没有重用梁孟松来研发这个技术,致使他跳糟到三星电子,让三星电子的FinFET制程技术在短短数年间突飞猛进赶上台湾,这才是台湾半导体晶圆代工产业最大的危机。


KAIST IP声称,其FinFET专利技术已获英特尔(Intel)采用,该技术发明人李钟浩说:三星曾与他讨论过该FinFET技术,之后就盗用该技术。所以主张,三星及格罗方德侵犯该公司的「FinFET」专利技术,之后三星、格罗方格以14纳米FinFET制程技术供应芯片给高通,因此高通成为被告。

 

台积电则以16纳米FinFET制程帮苹果生产iPhone用芯片。据韩媒报导,KAIST已经计画在搜集证据后,准备向台积电提起诉讼。台积电内部认为,三大半导体都拒绝支付专利费用给KAIST,显见三家半导体厂都具备自主研发的FinFET技术。