《电子技术应用》

NAND闪存景气回升 CAPEX将增40%至310亿美元

2018/7/17 6:00:00

近日,据IC Insights的数据预测,2018年NAND Flash行业的资本支出(CAPEX)将比预期产量增加40%以上,从2017年的220亿美元增至2018年的310亿美元,属于近8年来的最大增幅。

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  其中,3D NAND的市场需求,成为驱动NAND闪存资本支出激增的主要因素之一。3D NAND闪存技术采用堆叠的方式处理设备层关系,可以使得每颗芯片的储存容量增加,从而实现更大的结构和单元间隔,利于增加产品的耐用性、降低生产成本。因此深受NAND闪存厂商的追捧,目前已成为NAND闪存厂商的主攻方向。

  首先,我们需要先理解一个概念:资本性支出(CAPEX)。大量的CAPEX通常预示着有新的项目即将开始,生产和销售上都会出现巨大增长。与运营投资相反,CAPEX项目运行期间公司需要一直投钱,以此孕育未来的长期收益。因此,2018年NAND Flash行业的资本支出实现8年以来的最大增幅,表面了全球存储器厂商对闪存市场的持续看好与积极投入,NAND Flash市场有望被全面打开。

  到底是哪些芯片厂商全面看好NAND闪存,正大刀阔斧地加码3D NAND闪存产能?

  一方面,国际闪存大厂的3D NAND堆叠大战正在如火如荼地进行中。今年6月下旬,美光公布了2018财年第三季度的结果,同时也公布未来的发展方向,预告在2018年下半年96层3D NAND技术将会开始批量出货,可进一步增加每个芯片的储存容量,从而能够打造出更小,更节能的设备。两周后,三星也高调宣布已开始量产第五代3D NAND闪存颗粒,层叠层数为96层,产能得到30%的提升。同时,根据消息人士透露,三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元,2019年更是会提高到90亿美元。

  美光、三星释放信号仅是个开端,SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能,为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见,3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。

  另一方面,以长江存储为代表的中国存储器厂商,也加快了项目进展的步伐。据公开资料显示,由长江存储主导的国家存储器基地已于2018年4月11日,正式进场安装生产设备。同时,专注于行动式内存的合肥长鑫,以及晋华集成的试产时间也调快至2018年下半年。可以说,2018年或将成为中国存储器的生产元年。

  当然,全球的NAND闪存资本支出大增,只能印证NAND闪存行业投资景气的上升,今后存储器的市场表现如何,还需要时间来证明。毕竟在存储器市场的历史先例里,过多的资本支出通常会导致产能过剩和定价疲软,投资风险还是存在的。

  因此,思考当前取得的竞争优势,当前的技术还有哪些用武之地,以及今后的发展方向,为下一次发展奠定基础。这对国产存储器厂商来说,仍然具有深远意义。


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