2018年7月18日，英特尔（Intel）公司成立50周年。

从1968年至2018年，从4004到8080到奔腾系列，从单核到双核再到多核，从10微米到1微米到0.1微米再到10纳米，英特尔对于微处理器的探索一直孜孜不倦，50年来从没停止过。

1968 年 7 月 18 日，因为不满仙童半导体（Fairchild Semiconductor）的现状，罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）和戈登·摩尔（Gordon Moore）选择了离职，并创办诺伊斯-摩尔电子公司（NM Electronic），随后公司支付了15000美元从Intelco公司买下“Intel”名字的使用权，并更名为英特尔公司。

50年来，有过欢乐，也有过泪水， 有过曾经的彷徨，更有过信心满怀。从1985年的断臂转型到错失智能手机市场再到今天对智能驾驶的豪赌，英特尔始终一“芯”。

可是就在2018年，就在50周年大喜日子前夕。英特尔迎来了多事之秋，让人叹息。

2017年全球最大半导体公司的王冠，被三星电子抢走了，要知道，这王冠从1992年开始就一直带在英特尔头上。

屋漏偏逢连夜雨，不顺心的事是一桩连一桩。年初的CPU设计缺陷，导致安全漏洞；6月的首席执行官性丑闻事件，导致群龙无首；10纳米工艺迟迟无法突破，工艺制程延宕。

公司50周年纪念日，估计是啥味道都有，酸甜苦辣咸！

没人主持英特尔50岁大庆

2018年6月21日，英特尔宣布，首席执行官布莱恩·科赞奇（Brian Krzanich）与公司前雇员有“consensual relationship”，违反了公司相关准则，董事会已经接受其辞职。

按说少了一个首席执行官，没啥大不了；可是现在英特尔是首席执行官和总裁都空缺。

2016年1月，时任总裁詹睿妮（Renée J. James）宣布辞职。公司一直没有宣布新总裁的人选。

MY GOD！50岁的英特尔，尽然出现这种事情！没有一个掌舵人了！

50周年大庆谁来主持？

董事会这下急眼了！逮个人顶着再说。

于是进入公司不到两年的执行副总裁兼首席财务官Robert (Bob) H. Swan被赶鸭子上架，担任临时首席执行官（Interim CEO ）。不过这个仁兄说了，无意正式接任CEO一职，不愿意被列入候选名单之中。

新首席执行官源自内部

按照英特尔的惯例，首席执行官退位，直接任命总裁为首席执行官就好了。50年，英特尔都是这么干的。

50年来，英特尔历史上有过6位正式首席执行官，他们分别是罗伯特·诺伊斯、戈登·摩尔、安迪·葛洛夫（Andrew Grove）、克瑞格·贝瑞特（Craig R. Barrett）、保罗·欧德宁（Paul S. Otellinii）和布莱恩·科赞奇。

除了罗伯特·诺伊斯外，包括联合创始人戈登·摩尔、安迪·葛洛夫、克瑞格·贝瑞特、保罗·欧德宁四位都是从总裁位置上被任命为首席执行官的，而且安迪·葛洛夫、克瑞格·贝瑞特、保罗·欧德宁在担任总裁前都担任过首席运营官。而布莱恩·科赞奇在被任命为首席执行官前是执行副总裁兼首席运营官。

从这6位首席执行官的履历中可以看出，罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔是公司的联合创始人，安迪·葛洛夫是公司第3号员工，而克瑞格·贝瑞特、保罗·欧德宁和布莱恩·科赞奇都是从毕业后就在英特尔工作的，一直没有换过公司。

也就是说，英特尔的首席执行官都是从内部挑选提拔的。

前5任首席执行官都会兼任一段时间的总裁，然后在退休前将总裁的位置交给公司董事会要着力培养的人，一般两年左右，总裁就会继任首席执行官。

45年来没有变化。

布莱恩·科赞奇是个例外，在2013年5月2日，他当选了首席执行官。可总裁位置却交给了詹睿妮（Renée J. James）。

我们来看看英特尔6位首席执行官当选时的年龄，罗伯特·诺伊斯46岁、戈登·摩尔51岁、安迪·葛洛夫56岁、克瑞格·贝瑞特59岁、保罗·欧德宁55岁和布莱恩·科赞奇53岁。除了罗伯特·诺伊斯外，其他都是50多岁当选。

也许董事会认为詹睿妮当时还年轻，毕竟2013年时小詹才49位，毕竟在当年三选一或二选一情况下，也许董事会认为让小詹多熬几年资历更好。

可谁知，小詹不干了，在当了2年总裁后，于2015年7月提出辞职，想出去当个首席执行官。于是在2016年1月正式离职，英特尔的总裁位置也一直空缺至今。

第七任首席执行官来自何方

好了，首席执行官位置空缺，原本提拔总裁就好，现在总裁位置也是空缺，无法提拔。

于是董事会紧急行动，组成了首席执行官遴选委员会。外界也为遴选委员会开出了一长串的候选人名单：

蕾妮·詹姆斯（Renee James）55岁，前英特尔总裁，现在负责芯片初创公司Ampere Computing；

斯塔西·史密斯（Stacy Smith），前英特尔首席财务官；

柏安娜（Diane Bryant），前英特尔高级副总裁；

施浩德（Kirk Skaugen），前英特尔公司全球副总裁兼PC客户端事业部总经理；

阿南德·钱德拉塞卡尔（Anand Chandrasekher），前英特尔高级副总裁兼便携集团总经理；现就职高通

孙纳颐（(Navin Shenoy），1995年加入，45岁，现英特尔执行副总裁兼数据中心事业部总经理；

文卡塔·伦杜琴塔拉（Venkata Murthy Renduchintala），现英特尔技术、系统架构与客户集团总裁兼首席工程官，2016年从高通引进

拉贾·克杜里（Raja Koduri），核心和可视计算集团高级副总裁，2017年从AMD引进；

桑杰·贾（Sanjay Jha），前格芯首席执行官；

当然，还有很多。

究竟选谁当首席执行官，遴选委员会自有其考量。

不过9月初，据彭博社援引知情人士消息称，英特尔已经开始缩小CEO候选范围，有可能会首次引进一位公司外的人才。

新任首席执行官会让窘境之中英特尔找到新路还是继续沉沦，将很快见到结果。

期待新任首席执行官揭晓吧！

10纳米工艺迟迟无法突破

2017年9月，英特尔北京“精尖制造日”活动云集了英特尔制程、制造方面最权威的专家团，闭关修炼的英特尔终于秀出了它的10纳米工艺。并笑称：“老虎不发威，你当我是病猫？”

在“精尖制造日”中，英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr展示了英特尔的制程工艺时间图。他说，英特尔是首家做到22纳米FinFET的公司，比竞争友商至少领先三年。

可中国古话说得好：好汉不提当年勇，智者莫念昔日功。22纳米之后的半导体江湖可谓是腥风血雨。 

2014年英特尔推出了14纳米工艺，随后台积电量产16纳米工艺，三星量产14纳米工艺，2015年下半年发布的苹果A9处理器就分别采用了三星的14纳米工艺和台积电的16纳米工艺。2016年，台积电和三星又相继推出了自己的10纳米工艺，比英特尔的10纳米工艺早了将近一年的时间。

如果按照之前的Tick-Tock战略进行，英特尔应该在2015年底就量产10纳米工艺了，只不过这些都是奢望了。

英特尔的10纳米工艺是“只闻楼梯响，不见人下来”。工艺一再延期，目前官方说法是2019年底开始量产，不过真正大规模量产桌面及服务器处理器要到2020年了。

台积电不光10纳米量产，就连7纳米工艺在2018年已经开始量产移动芯片，包括苹果A12及华为海思麒麟980处理器，当然AMD的CPU及GPU芯片使用的是台积电的7纳米HPC高性能工艺，2019年应该才大规模量产。

Rosenblatt Securities的分析师Hans Mosesmann在8月份的报告中表示，英特尔在半导体工艺上的瓶颈不只是10纳米延期，而且需要许多时间来解决这个问题，因此造成英特尔的工艺劣势将持续5年、6年甚至7年。对英特尔工艺落后持悲观看法的不止他一个，Raymond James的分析师Chris Caso的报告称，英特尔最大的战略问题就是他们的10纳米工艺延期，我们预计未来两年内英特尔都不会推出10纳米服务器芯片。10纳米制程延后的问题，也为竞争对手打开了一扇窗，而且这扇窗可能永远都不会关上 。

尽管英特尔在制程工艺上落后对手是近十年来罕见的，10纳米工艺的延期确实给英特尔制造了很多麻烦，也让很多分析师不看好。因为AMD已经凭借台积电的尖端工艺开始摧城拔寨了。

英特尔何时再发虎威

而在更新一代半导体工艺上，台积电及三星已经规划了5纳米以及3纳米工艺，其中台积电的5纳米工艺投资计划超过250亿美元，预计2019年试产，2020年量产；3纳米工艺计划投资约为200亿美元，2020年开始建厂，2021年完成设备安装，预计2022年底到2023年初量产。

三星在2018Samsung Foundry Forum会议上宣布，已经准备好了7nm LPP 工艺，2018年下半年生产，并称7纳米工艺是全球首次使用先进的 EUV光刻解决方案。并公布了5纳米、4纳米和3纳米制程的计划。其中，5纳米/4纳米工艺仍会使用现有的FinFET制造技术，3纳米工艺采用GAA纳米技术，对于投产时间，三星表示，2019年5纳米，2020年4纳米，2021 年3纳米。

在2017“精尖制造日”中，英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节，展现了英特尔的技术领先性。提升密度、提高性能、降低能耗、降低成本，是英特尔致力的目标。

Mark Bohr介绍了14纳米超微缩相对于22纳米超微缩的领先性，同时也介绍了10纳米相对于14nm超微缩的技术差异。他说，从22纳米到14纳米再到10纳米，第三代FinFET晶体管有了极大的突破。从14纳米到10纳米，晶体管密度提升非常可观，14纳米工艺中每平方毫米晶体管数量不到4000万个，而10纳米工艺中每平方毫米晶体管数量超过1亿个。10纳米鳍片的高度较14纳米提高25%，间距缩小25%，超强的微缩能力和全新特性将晶体管密度提升了2.7倍。

Mark Bohr还表示，7纳米技术在全速开发过程中，英特尔将继续打造高密度晶体管技术，并进一步提高每瓦的性能。在5纳米，正在共同探索不同的晶体管技术的可选方案，包括产品的方案，最近我们也得出了一些初步结论。究竟在5纳米技术上我们希望涵概哪些核心功能。我坚信摩尔定律将继续推进晶体管技术的发展，将继续降低单位成本，而且可以提高每瓦性能。

钴替代铜、钨，英特尔致用秘籍

毕竟英特尔每年研发投入100多亿美元，绝对不是随便玩的。肯定是要拿出一些新技术玩意的。

随着半导体制造朝着10纳米以下发展，原本以铜作为导线材料已经暴露导电速率不足的问题，让制程在10纳米、7 纳米蘠上遇到瓶颈。因此新材料的应用将是突破半导体制程的关键。

而用钴替代铜，绝对是英特尔10纳米的卖点。

2017年12月份在旧金山举办的IEEE IEDM会议上，英特尔公司阐述了将钴金属应用于10纳米芯片最细连接线的设想，英特尔详细介绍了用钴代替钨制成的电接触材料设备的性能。

应用材料公司的Kevin Moraes表示，虽然金铜的电阻率比铝、钨甚至是钴都要低。但是铜在更小尺度上很容易受到电迁移的影响。当电子加速穿过超薄线路时，它们会将原子驱赶到金属中，就像是一位急匆匆的行人将另外一个人推到人行道外面一样。为了保护铜互连，需要在纤细的线路中镶嵌其他材料，如氮化钽甚至是钴。

作为全球最大的半导体设备龙头，应用材料每年投入的研发费用也十分可观，其2017财年的研发经费接近18亿美元，占总营收的12%强。应用材料也是最早投入以钴代替铜、钨做为导线材料的设备厂商之一。据悉，应用材料已经有一系列设备可以对应钴材料，包括ENDURA平台上物理气相沉积PVD、原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD。ENDURA平台推出20年来，已经有超过100个客户使用超过4500台ENDURA平台。当然应用材料不只ENDURA平台，在PHRODUCER平台上的退火设备、PROVISION平台上的电子束检测、以及REFLEXION LK PRIME CMP平台的上的平坦化设备翥可以满足钴互连工艺。这一整套整合钴金属解决是针对10纳米/7纳米以下制程的，可以满足加速芯片效能，缩短芯片上市时间的需求。

相比于铜来说，钴的电阻率很高，是其3倍，但电迁移的可能性要小得多。为了保证晶体管之间以及晶体管内部的短程连接，晶圆制造商开始利用钴作为金属层材料。在2017年的IEDM大会上，英特尔的报告中指出，在10纳米加工技术的两层超薄布线层中使用钴互联，电迁移减少了1/10至1/5，电阻率是原来的一半。改善后的互连线路将有助于半导体行业克服线路问题，进一步缩小晶体管尺寸。

英特尔公司是第一个将芯片中的铜换成钴的公司。在工艺改进过程中，英特尔公司曾经将与晶体管栅极接触的钨金属层替换成钴金属层。之前选择用钨是因为钨有弹性且不会有电迁移问题。但是钨的电阻率很高。

VLSI Research的首席执行官Dan Hutcheson说：“最大的问题是在哪里植入新技术。如果你过早应用，就会产生很多成本。英特尔愿意为此付出高价，并且他们有能力调试新的材料。”

做为第一个吃螃蟹的人，英特尔在用钴替代铜、钨做导线时，已经做好了准备。一旦在互连材料的替代上取得先机，将锐不可挡。

毕竟台积电和三星在未来也会碰到英特尔一样的难题。

就算钴替代铜和钨可以避免，也还会碰到其他难题。毕竟半导体产业发展到今天，面临了近20年来的最重要的材料变革，技术推动已经假手换人，摩尔定律推进的难度大增。

毕竟半导体技术的进步来不得半点虚假。在后摩尔时代，晶体管架构的改变、EUV光刻机的出现、封装技术越来越受重视、新材料的出现，都将延续该定律的经济效应。

未来鹿死谁手，让我们拭目以待吧！