针对美国的“禁令”及窃取美光知识产权和机密的诉讼，上周福建晋华做出回应，称不存在窃取其他公司技术的行为！11月9日深夜，与福建晋华合作的联电也发表声明，否认相关指控，并称联电此前已积累了近15年制造DRAM产品的经验。

此前，美国司法部宣布，向美国法院起诉福建晋华及其中国台湾合作伙伴联华电子以及3名个人，指控其窃取美光的知识产权和商业机密。

起诉书指出，涉案3名台湾男子是陈正坤（Stephen Chen Zhengkun）、何建亭（He Jianting，译音）和王永明（Kenny Wang Yungming，译音），他们全都曾在美光工作，并在加入联电时窃走美光的技术，目的是要转移给成立仅两年的晋华。

对此联电昨晚发声明表示，已累积近15年制造DRAM产品的经验，且联电的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计，也强调不要「在报刊上」进行这场诉讼，并向客户和投资人保证，对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。

联电昨夜发出的声明如下:

联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14纳米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32纳米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM 制程开发经理。另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25纳米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25纳米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。