图片来自ISPSD2019官网

ISPSD（国际功率半导体器件和集成电路研讨会）是国际半导体电力电子器件及集成电路领域规模最大、影响力最强的顶级国际学术会议之一，一年一度的ISPSD会议一直以来都是国内外产业界和学术界百家争鸣的国际舞台。

自1988年发起以来，过去的30届ISPSD会议分别在北美、欧洲、日本及其它区域轮流举办（第一届是1988年，第2届是1990年，以后是每年一届）。

2015年5月，ISPSD 2015在中国香港举行。中国科学院院士、电子科技大学陈星弼教授因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。大会对他在1993年发明突破了传统硅极限的“CB-layer”，即广为熟知应用的“Super-junction”的重大学术贡献给予高度评价。

令人振奋的是，ISPSD2019会议将在中国上海举办。这将是该会议自1988年发起以来首次在中国大陆举办，标志着中国大陆电力电子器件的研究和产业水平在国际上产生了越来越重要的影响力，也说明中国大陆学者在电力电子领域扮演和承担着重要的角色。

ISPSD2019由浙江大学盛况教授担任大会主席（General Chair），电子科技大学张波教授担任大会副主席（Vice General Chair）；香港科技大学陈敬（Kevin J. Chen）教授担任技术程序委员会（Technical Program Committee，TPC）主席。

会议主题

ISPSD会议议题分为以下六个方向：高压功率器件（High Voltage Power Devices）、低压功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）、 功率集成电路（Power IC Design）、氮化镓与氮化物器件（GaN and Nitride Base Compound Materials）、碳化硅与其他宽禁带半导体器件（SiC and Other Materials）、模块与封装工艺（Module and Package Technologies）。

在六大议题中，以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体（也就是常说的第三代半导体）器件以其独特优势在近年来引发了国内外产业界和学术界的关注，在材料生长、制造工艺与应用等领域蓬勃发展，被认为是下一代电力电子器件和功率集成电路的重要发展方向。凭借其优异的性能（如更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和速率和更优异的抗辐射能力），宽禁带半导体电力电子器件在新能源汽车、分布式并网、新型直流输配电网、数据中心、航空航天和消费类电子等诸多领域都有着广泛的应用前景。

关于技术程序委员会情况

本届技术程序委员会（TPC）共有61个人，其中中国共有14位，占23%。

他们分别是TPC主席陈敬（香港科技大学）、GaN and Nitride Base Compound Materials分议题主席Tom Tsai（台积电TSMC）。

其他成员还有罗小蓉（电子科技大学）、Yi Tang（嘉兴斯达半导体）、张帅（台积电TSMC，原华虹宏力）；David Tsung-Yi Huang（瑞昱Richtek）；Budong (Albert) You（矽力杰Silergy）、祝靖（东南大学）；刘扬（中山大学）、杨树（浙江大学）；Chih-Fang Huang（台湾清华大学）、hwan Ying Lee（瀚薪科技）、Kung-Yen Lee（台湾大学）；Zhenqing Zhao（台达电子）。

2009-2018中国大陆在ISPSD发表论文总体情况

下面是芯思想研究院统计的2009年至2018年10年间的中国大陆论文情况（由于ISPSD2019的论文评审情况信息没有，无法给出今年的论文情况）。

从2009年到2018年10年间，虽然年年都有论文发表，不过2010年依靠电子科技大学张波教授团队的一篇文章，才避免0的尴尬。

从2009年到2018年共发表论文112篇，其中口头报告（Oral）34篇，张贴报告78篇（Poster）。

根据第一作者所在单位来看，电子科技大学有50篇入选（其中陈星弼院士团队有7篇，张波团队43篇），东南大学有25篇入选，浙江大学有15篇入选，前三名合计有90篇论文入选，占总数的80.33%。

根据第一作者所在单位来看，我国入选的112篇论文中，来自产业界的仅有4篇，分别是华虹宏力2篇入选，中车株洲时代电气和英诺赛科各有一篇入选，仅占总数的3.33%。

三大高产团队

1、电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）

功率半导体器件及集成技术是电子科技大学微电子领域的特色学科方向，是电子科技大学集成电路研究中心的核心组成部分。

电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”的重要组成部分。功率集成技术实验室专注于功率半导体技术研究，开展了功率半导体分立器件（包括高性能功率二极管、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT到大功率RF LDMOS等，涉及硅基功率器件、SiC功率器件和硅基GaN功率器件）、可集成功率半导体器件新结构（包括硅基、SOI基和GaN基）、高低压工艺集成、电源管理集成电路、功率集成电路以及面向系统芯片的复杂负载下高效功率转换研发工作。

从2009年至2018年10年间，以第一作者所在单位统计共发表论文43篇。

 领军人物：张波教授

张波教授目前带领电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）主攻功率半导体技术研究，是国际上该领域最大的学术研究团队。

张波教授于2010年当选ISPSD技术程序委员会（TPC）成员，是首批进入该委员会的中国大陆学者之一（另一位是2009年从美国全职回到浙江大学工作的盛况教授）。

2000年在法国图卢兹举行的ISPSD上，张波教授首次以第一作者身份发表了一篇有关超结的口头论文。尽管1999年11月张波教授就已经回国工作，但该篇文章的主要研究内容为在美国访问研究的成果，因此该篇文章虽然在首页注明张波教授已经回到电子科技大学工作，但还是以美国国家工程中心功率电子系统中心署名。

不过张波教授在ISPSD首秀是在1998年。当时他以访问教授的身份在美国弗吉尼亚理工大学进行研究。

当然，该团队还有罗小蓉教授、陈万军教授等。

罗小蓉，女，博士，电子科技大学教授。2001年获四川大学硕士学位, 2007年获电子科技大学博士学位。2009-2010年到英国剑桥大学进行博士后研究。2011年聘为博士生导师，2012年破格晋升教授。是现任ISPSD技术程序委员会（TPC）成员。

陈万军，男，博士，电子科技大学教授教授，博士生导师。2007年获电子科技大学博士学位，2007-2010年在香港科技大学进行博士后研究，2013年聘为博士生导师，2014破格晋升为教授。长期致力于硅基功率半导体技术、宽禁带氮化镓（GaN）功率器件与集成技术等领域的科研、教学与人才培养工作，特别在硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率集成技术与器件模型/机理等方面开展了在国际上具有相当影响的独创性研究。

2、东南大学功率集成电路研发部

功率集成电路（PIC）研发部是国家专用集成电路系统工程技术研究中心的重要组成部分，在南京、无锡和苏州设有三个实验室。

在近十年间，以第一作者所在单位统计，功率集成电路（PIC）研发部共发表25篇文章。其中2012年、2013年、2015年、2016年、2018年都取得100%录用率的佳绩。

领军人物：孙伟锋

1977年5月出生，2000年本科毕业于东南大学电子科学与工程学院；2003年获硕士学位并留校任教；2006年获微电子学与固体电子学专业博士学位；2008年9月至2009年9月在美国加州大学欧文分校电子与计算机工程学院进修，进行博士后的研究工作。主要从事功率器件、功率集成电路、模拟集成电路及可靠性等方面的研究。发表SCI论文150余篇，获得美国专利7项、中国发明专利190余项，

当然，该团队还有祝靖副教授等。

3、浙江大学电力子器件团队（PEDL）

由盛况教授领衔的浙江大学电气工程学院的电力子器件团队（PEDL）自2010年成立以来，一直致力于开展碳化硅和氮化镓电力电子器件的研究，成功自主研制出了碳化硅超级结肖特基二极管、JBS二极管、结型场效应晶体管、常关型氮化镓晶体管和垂直型氮化镓二极管，开发出了容量领先的碳化硅肖特基二极管模块、碳化硅结型场效应开关管模块以及碳化硅MOSFET功率模块。此外，团队还在基于宽禁带器件的电力电子变压器、DC-DC变换器、PFC、充电桩等应用方向开展了一系列研究工作。

电力子器件团队（PEDL）从2013年开始连续有论文入选ISPSD会议，以第一作者所在单位统计，至2018年共往入选15篇。

领军人物：盛况

1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位；1999年毕业于英国爱丁堡Heriot-Watt大学获计算机及电气工程博士学位；1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后；2002-2009在美国Rutegers大学（即新泽西州大学）任教，获终身教职；2009年被评为教育部长江学者，担任浙江大学电气工程学院特聘教授，2010年全职回到时母校任教。

盛况教授 于2010年当选ISPSD技术程序委员会（TPC）成员，是首批进入该委员会的中国大陆学者之一（另一位是电子科技大学的张波教授）。

盛况教授领衔的电力子器件团队（PEDL）专注电力电子技术，主要包括：新型的碳化硅电力电子器件，包括碳化硅平面型/垂直型功率器件（SiC-SBD, SiC-JFET，SiC-BJT, SiC-MOSFET）；碳化硅功率电力电子集成电路芯片；SOI电力电子集成电路技术；IGBT器件的模型、芯片设计、模块设计、可靠性和产业化研究等。

当然，该团队还有杨树教授。

杨树，女，1990年6月5日生，安徽合肥人，浙江大学电气工程学院教授、博士生导师。 2010年本科毕业于复旦大学微电子学专业；2014年博士毕业于香港科技大学电子计算机工程专业，先后在香港科技大学担任客座助理教授，在英国剑桥大学做博士后。2016年回国后，进入浙江大学电气工程学院，担任“百人计划”研究员。研究领域为下一代高效率能量转换系统中的GaN半导体器件核心技术及物理机理。主要从事宽禁带半导体电力电子器件的设计、微纳制造、分析表征以及可靠性研究。在氮化镓MIS器件界面优化、硅基氮化镓器件缓冲层陷阱效应物理机制、基于同质外延的垂直型氮化镓电力电子器件等方向开展了一系列工作。

ISPSD 2019时间安排

 图片来自ISPSD2019官网

当然会议的第一天是短课程培训。

估计2019年的后面四天会场安排情况和2018年也差不多。在2018年在美国芝加哥举行的ISPSD共分为16个会场，分别是：

1、Superjunction MOS, Diodes and IGBTs

2、SiC Power MOSFETs

3、Lateral Devices: Reliability

4、Smart Power ICs

5、GaN Power Devices - 1

6、High Voltage

7、GaN

8、Packaging

9、GaN Power Devices - 2

10、Low Voltage Technology

11、IC Design

12、SiC

13、SiC Reliability and Ruggedness

14、Packaging and Enabling Technologies

15、Novel Device Structures

16、IGBTs

当然还有第17会场--特邀报告会场。其中，6、7、8、10、11、12等六个会场是POSTER会场。