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长江存储64层3D闪存芯片量产在即,国产芯片替代趋势下还存在哪些挑战

2019-05-09
关键词: 紫光 芯片 量产 闪存

近日,与非网获悉,紫光集团旗下的长江存储计划于今年年底前投入64层3D闪存量产工作。其中风险试产预计三季度启动,目前良率已经实现了显著爬升。

64层芯片量产后,长江存储的主要精力将转移到128层上,后者有望在2020年大规模投产。

报道称,此前,采用长江存储闪存生产的SSD由紫光存储负责经销。目前长江存储正与紫光集团沟通,希望能够获得SSD、UFS存储芯片等产品的品牌建设和自主经营权。

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此前,长江存储/紫光集团已经和深圳江波龙(Longsys)建立合作,计划打造高度国产化甚至完全国产化的存储设备。

长江存储是国内三大存储芯片阵营中主攻NAND闪存的公司,去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存,还在前不久CITE2019上展示了使用长江存储的32层3D NAND闪存的企业级P8260硬盘。

但是,公司CTO程卫华表示,长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存,因此计划于今年下半年直接量产64层堆栈的3D NAND闪存,目前进展顺利,暂时没有障碍。

纵观国际闪存巨头,三星、SK Hynix、美光占据近乎90%的存储市场,目前大多正在使用90层堆栈的3D NAND闪存。SK Hynix、美光计划今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存,三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。

如果长江存储今年年底能够成功量产64层堆栈的3D NAND闪存,那么与三星等国际存储巨头公司技术差距可以缩小到2年左右。

最重要的是,人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的影响,因为NAND闪存降价会比预期更多。

从总体而言,与DRAM领域不同,长江存储在NAND领域取得了一些进展。如果今年下半年量产64层堆栈NAND闪存,在国产替代和政策要求的趋势下,中国智能手机及PC制造商可能将采用国产NAND闪存。如果出现这种情况,将影响NAND业务的盈利能力,这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。

但是面对差距,长江存储想要改变内存行业一直被三巨头垄断的现状,还存在诸多挑战:

还没大规模量产32层堆栈的3D NAND闪存,是否能够大规模量产64层堆栈的3D NAND闪存?产能问题如何解决?

闪存市场价格呈下跌态势,长江存储如何应对市场环境和趋势?

国产内存工艺相对落后,面对2年左右的技术差距,又该如何追赶?

以上因素都是长江存储或国产内存厂商无法逃避的问题,挑战仍在,任重道远。


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