《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 业界动态 > 将颠覆传统CMOS,Bizen晶体管架构成推手

将颠覆传统CMOS,Bizen晶体管架构成推手

2019-11-07
来源: Ai芯天下
关键词: 晶圆 CMOS 晶体管 器件

前言:

目前来看,Bizen可能会打开老式晶圆厂的逻辑生产之门。如果它能被业界采用,鉴于将给定技术节点上的Bizen裸片面积比CMOS逻辑实现的面积要小这一优势,或许能够将摩尔定律时钟倒退10年或更长时间。

传统晶体管面临重重压力

数十年来,芯片上的晶体管变得越来越小,越来越快,越来越便宜,可是近年来,摩尔定律正在面临失效。

更小、更快的新型晶体管将使得计算机工业再次取得巨大进步。通过这种方式,摩尔定律可能很快重新焕发生机,计算机性能有望迅猛增长。

晶体管日益发展,要突破物理极限,传统方法已经不适用,如今必须采用创新方法制造晶体管。

01154037281655.png

制程升级所面临现实难题

在过去,半导体市场的重点一直围绕着传统的芯片微缩,在器件中加入更多功能,然后在每个工艺节点上缩小器件。

然而到了最近几年,芯片在每个节点处的微缩都变得更加昂贵和复杂,如今只有少数人能够负担得起在先进节点上设计芯片的费用。

芯片行业对于数字的高度敏感,越来越成为晶圆代工厂商以及芯片厂商的紧箍咒。对于处于金字塔尖的巨头们来说,不无例外。

制程越先进,面积越小,性能提升的同时功耗也会降低,一般来说,10nm对16nm,功耗大约会下降20%到30%。数字越小则代表了越先进的技术水准。

但无论是芯片厂商还是晶圆代工厂商,越往升级道路走,承担的压力就越大。去年全球四大纯晶圆代工厂中,除了台积电,GlobalFoundries、联华电子和中芯国际每晶圆平均收入都在下降。

未来5年能有能力投入先进制程的晶圆代工厂,只有台积电、三星以及英特尔,激烈竞争之下,一定会让定价压力一路延烧到2022年为止。

传统结构的多元消耗

在多晶硅和栅极氧化物的界面处形成耗尽区,随着器件继续缩小,多晶硅耗尽变大,并且相当于氧化物厚度的较大部分将限制栅极氧化物电容。多元消耗的负面影响是由于反型层电荷密度的降低和器件性能的降低。

对于传统结构,随着沟道长度的缩小,栅极不能完全控制通道,这是不希望看到的。其影响之一是从漏极到源极引起更多的亚阈值泄漏,这从功耗角度来看不是很好,栅极不能控制远离其的泄漏路径,掺杂被插入通道中减少各种SCE。

01154350917871.png

新型量子遂穿晶体管诞生

英国晶圆代工厂Semefab生产了一种名为Bizen的新型量子隧穿晶体管和晶圆工艺样品,可以大大缩短交货时间、晶圆面积和工艺层,同时提高速度,降低功耗并提高CMOS的栅极密度。

Bizen是由位于英国诺丁汉的初创公司Search For The Next(SFN)开发的新型晶体管体系结构,其使用了量子隧穿而不是绝缘栅。这种结构由双极和齐纳二极管组合而成,它允许在标准CMOS工艺中仅在8层中产生逻辑,而对于传统CMOS晶体管设计,则需要20到30层。

Semefab在苏格兰Glenrothes生产的1μm制程工艺的Bizen测试芯片将传统CMOS晶体管设计的交货时间从15周缩短到了3周,并且芯片面积是同一工艺下同类CMOS器件的三分之一。

01154632323191.png

Bizen结构的本质和应用

Bizen是一种新颖的晶体管结构,本质上是一种PNP器件,其基极通过量子隧道结驱动,并且包括第二个隧道结内部的自偏置晶体管。目前,这种结构是基于硅的,但是能够迁移到GaN和其他化合物半导体。

量子隧穿技术并不是什么新鲜事物,它已被广泛应用于NOR闪存芯片中。但是,在过去的两年中,借助Bizen该技术已应用于逻辑器件,并已由Semefab进行生产、验证。

通过仔细建模,可以将传统的横向和纵向双极结构集成在一起,以整合成Bizen,而不会造成额外的工艺复杂性,可见它的确具有颠覆该行业的潜质。

尽管CMOS容易发生闩锁和ESD,但是否有缺陷对CMOS来说并不是什么大问题,而且CMOS的低功耗特性,已经通过了时间的考验,并且普遍可靠。

但是CMOS比较复杂,并且与功率集成时更是如此,复杂性意味着更长的交货时间和更高的成本,而Bizen恰好能够解决这些问题。

01154759199706.png

Bizen晶体管结构优势突出

Bizen的晶体管具有类似PNP的结构,但基极有所不同。这是一种双极机制,而不是像MOSFET那样的单极机制。它不会像BJT那样直接与基极接触,且不会像MOSFET那样被氧化物隔离。

取而代之的是到基极的隧道结,其中的掺杂很重,使得Bizen——双极稳压管——保留了传统双极处理的优点,但通过使用齐纳量子隧道机制消除了缺点。

虽然也将Bizen的两个电极称为“集电极”和“发射极”,但其实该结构是对称的,可以在不更改功能的情况下交换这两个端子。

第二个隧道结使Bizen偏置,以便在隧道端子开路时“接通”但不饱和。虽然这表示在操作过程中有连续的电流流到地面,但隧道电流通常仅为2nA —5nA,可以通过包括一个可断开偏置隧道连接的单一结构来引入低功耗“睡眠”模式。

使用Bizen晶体管构建的任何逻辑都是基于电流的逻辑,而不是基于电压的逻辑,并且,除了电阻器或偏置隧道结以外,不需要额外占用空间的的电流吸收器。

可以使用Bizen晶体管实现任意逻辑功能,并且只需4个工艺光刻掩模,而不是整个工艺的8个掩模即可实现逻辑芯片,这是因为可以在晶体管内部建立晶体管到晶体管的连接。

Bizen的动态功率要低得多,因为它没有与CMOS相关的所有浪费功率的MOSFET栅极电容。当前的方法允许进行模拟计算,其中电流可以合并,并随着时间的流逝而增长。在不使用SOI衬底的情况下,芯片可以分为8层。

隧穿晶体管的优势愈发明显

晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去40年间,科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。

业界认为,半导体工业正在快速接近晶体管小型化的物理极限,现代晶体管的主要问题是产生过多的热量。

电子隧穿设备商业化的历史很长,量子力学隧穿的原理也已被用于数据存储设备中,借用最新技术,未来,一个USB闪存设备或许能拥有数十亿个TFET设备。

使用隧穿晶体管取代目前的晶体管技术并不需要对半导体工业进行很大的变革,现有的很多电路设计和电路制造基础设施都可以继续使用。

CMOS制程仍是短期推进微缩最佳途径

要维持摩尔定律存续,唯一的重点在不断提升晶体管密度,进而可持续提供更佳的效能以及能源效率表现。

只要业者能够持续在更小芯片空间内放入更多具更佳能源效率的晶体管,就能持续让摩尔定律存续,不论所采用实现这个晶体管密度持续提高的方式为何。

在此情况下,短期内要能持续推动摩尔定律前进,仍必须仰赖既有持续推出更先进CMOS制程的技术,让晶圆制造端能够量产闸极长度更小的晶体管。以台积电为例,目前的进展是在蚀刻7纳米晶体管,并朝5纳米制程推进。

01154934420423.png

结尾:

每一代都有赖全球半导体制程的不断微缩演进,带动晶体管密度不断微缩,以能推出效能及功耗更佳、符合新科技浪潮的更高运算需求,进而形成当前全球科技产业供应链现况,并创造一个愈来愈科技渗透的社会环境。

随著行动时代发展至今逐渐趋于成熟、成长性逐渐趋缓,人工智能+5G将会是下一阶段推动半导体制程微缩前进的主要推动力。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。