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三星官宣首款3nm GAAFET芯片 或2021年前量产

2020-01-06
来源:智东西
关键词: 三星 3nm

  据《韩国经济》杂志报道,三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片,基于全栅极(GAAFET)技术。与三星使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比,3nm芯片的总硅片面积减少35%,功耗降低50%,性能提高30%

  据悉,韩国当地时间1月2日,三星电子事实上的领导者李在镕层参观了三星的半导体研发中心,并商讨了有关公司利用3nm工艺制造芯片的战略计划,以提供给全球客户。

  一、三星电子的GAAFET工艺

  早在一年前,三星开始进行3nm GAAFET工艺的研发,最初计划于2021年开始量产。

  与此同时,三星还曾表示要在2020年之前采用4nm GAAFET工艺,但业界对三星是否能在2020年之前将该工艺量产表示怀疑。

  从事实上看,三星将GAAFET芯片投入生产的时间比业界预期的还要早。但随着三星3nm芯片原型的开发,其量产的时间或许会比市场预期更早。

  实际上,GAAFET的工艺设计与FinFET大不相同。

  FinFET工艺将闸门设计成了像鱼鳍般的3D结构,把以往水平的芯片内部结构变垂直,把晶体厚度变薄。

  这种设计不仅能很好地接通和断开电路两侧的电流,大大降低了芯片漏电率高的问题,还大幅地缩短了晶体管之间的闸长。

  而GAAFET的工艺则围绕通道的四个侧面设计,以确保减少功率的泄漏,进一步改善对通道的控制。

  此外,GAAFET工艺还能够实现更高效的晶体管设计,拥有更小的整体制程尺寸,大大提升了芯片的每瓦性能。

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  二、台积电仍在5nm领域发力

  三星电子的老对手台积电在3nm工艺领域似乎还较为低调。

  台积电曾表示将在2019年年底启动3nm晶圆厂建设,并表示其进展“令人欣慰”,但关于3nm的技术细节却未过多披露。

  相反,当下台积电则更多低将心思放在5nm工艺的研发中。从去年年底开始,关于台积电5nm工艺试产良率的消息频频爆出。

  就在去年10月,台积电表示,其首批5nm工艺已顺利拿下苹果和华为海思两大客户,将分别打造苹果A14芯片和华为新一代麒麟芯片。

  据台积电上个月的最新消息表示,其5nm工艺平均良率已提高至50%,2020年上半年即可实现量产。

  而在三星电子则表示,其目标要在2030年成为世界第一的半导体制造商。

  结语:芯片先进制程领域战火纷飞

  多年来,台积电和三星的芯片代工之争愈演愈烈,尤其进入到了5nm及以下的先进制程领域,除了良率、性能和客户订单之争外,双方围绕芯片工艺、半导体材料和光刻机等方面的竞争也更加激烈。

  但就目前综合看来,三星虽然已公布其3nm工艺的最新进展,但在良率、订单等进程上,依然是台积电更胜一筹。未来,输了7nm的三星是否能在3nm扳回一城?我们拭目以待。


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