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安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能

同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷
2020-02-19
来源:安世半导体

奈梅亨,2020年2月19日:安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。

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很多应用均需要超低RDS(on)器件,例如ORing、热插拔、同步整流、电机控制与电池保护等,以便降低I²R损耗并提高效率。然而,某些具有类似Rdson值的同类器件,由于单元间距缩小,其SOA能力(衡量MOSFET安全工作区指标)及Idmax额定电流需要降额。安世半导体的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高达380A的最大额定电流。该参数对电机控制应用尤为重要,因为电机堵转或失速的瞬间可能在短时间内会导致很大的浪涌电流,而MOSFET必须承受此浪涌才能确保安全可靠的运行。一些竞争对手仅提供计算出的ID(max),但安世半导体产品实测持续电流能力高达380A。

该器件采用安世半导体LFPAK56封装兼容5×6mm Power-SO8封装,提供高性能铜夹结构,可吸收热应力,从而提高质量和寿命可靠性。

安世半导体的功率MOSFET产品经理Steven Waterhouse表示:“借助我们最新的NextPowerS3 MOSFET,意味着电源工程师现在比以前拥有更多的选择来打造市场领先的产品——电池可以持续更长时间,电机可以提供更大扭矩,服务器可以更加可靠。”

典型应用包括:电池保护;直流无刷(BLDC)电机(全桥,三相拓扑);ORing服务器电源、热插拔和同步整流。

如需了解新型低RDS(on) MOSFET的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问www.nexperia.com/nextpowers3   

关于安世半导体

安世半导体是分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域高产能的生产专家,其器件符合汽车工业的严苛标准。安世半导体非常注重效率,能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求:年产量高达900亿件。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面已经成为行业基准,拥有业内最小尺寸的封装技术,可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验,安世半导体一直为全球各地的领先企业提供优质的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过11,000名员工。公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

安世半导体:效率致胜。

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