《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 业界动态 > 更可靠更高效,英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET问市

更可靠更高效,英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET问市

2020-02-25
来源:EEWORLD
关键词: 英飞凌 650V

  英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC? MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

  

1582624040591455.png

  “随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合,”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监Steffen Metzger表示,“这凸显了我们在市场中的独特地位:英飞凌是市场上唯一一家能够提供涵盖硅、碳化硅和氮化镓等材料的全系列功率产品的制造商。而全新CoolSiC?系列是我们矢志成为工业SiC MOSFET开关领域头号供应商的有力支持。”

  650 V CoolSiC? MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间,既可采用典型的TO-247 3引脚封装,也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC? MOSFET产品相比,全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外,它们还具备最高的跨导水平(增益)、4V的阈值电压(Vth)和短路稳健性。总而言之,沟槽技术可以在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低的损耗,并在运行中实现最佳可靠性。

  与市面上其它硅基以及碳化硅解决方案相比,650 V CoolSiC? MOSFET能够带来更加吸引人的优势:更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻(RDS(on)),这些器件具备出色的热性能。此外,它们还采用了坚固耐用的体二极管,有非常低的反向恢复电荷:比最佳的超结CoolMOS? MOSFET低80%左右。其换向坚固性,更是轻松实现了98%的整体系统效率,如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正(PFC)。

  为了简化采用650 V CoolSiC? MOSFET的应用设计,确保器件高效运行,英飞凌还提供了专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER?栅极驱动器IC。这个解决方案(整合了CoolSiC?开关和专用的栅极驱动器IC)有助于降低系统成本和总拥有成本,以及提高能效。CoolSiC? MOSFET可与其它英飞凌EiceDRIVER?栅极驱动器系列IC无缝协作。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。