光刻机，被称为现代光学工业之花，制造难度非常大，全世界只有少数几家公司能够制造。其售价高达7000万美金。用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。

半导体行业投资机遇

半导体是典型的技术密集型行业，当前与美国、日本等发达国家存在较大差距，处于发展初期的国内半导体行业，有先天市场优势，未来增长空间巨大。

当然，半导体行业前期研发投入较大，企业利润稍显不足，投资者需要有足够耐心，假以时日产品研发成功，由于行业壁垒较高，企业护城河更宽，行业利润非常可观。

2020 年 5G 将迎来规模商用，而5G 智能手机相较于 4G 手机，射频前端等芯片价值量将大幅提升，受 5G智能手机出货拉动，半导体制造、封测的产能利用率有望大幅提升。

此外，为促进集成电路产业发展而成立的国家集成电路产业投资基金（大基金），二期基金已经成立，资金规模超达2041亿元，重点投向半导体上游设备和材料领域。

综上所述：半导体行业进入快速发展期，板块迎来投资潮，叠加未来几年5G应用变现，布局半导体行业正当时。

国产光刻机，走在曲折但奋进的路上

ASML虽然伟大，但毕竟是别人家的。对于中国来说，只有自己掌握了核心科技，才能不被外界掣肘。

中国对光刻机的研究起步并不晚，大概在上世纪70年代，早期的型号主要是接触式光刻机。所谓接触式光刻机，也就是光罩贴在晶圆上的。中科院1445所在1977年研制出了一台接触式光刻机，比美国晚了二十年左右。

兵进光刻机，中国芯片血勇突围战

1985年，机电部45所研制出了第一台分步投影式光刻机，而美国在1978年研制出这种光刻机，当时使用的是436nm G线光源。

90年代的时候，国内光刻机在技术上和国外其实相差还不远，大概相当于国外80年代中期的水平。

不过要知道，光刻机这种东西，工艺（即采用光源的波长）每向前进一个台阶，制造的难度、需要的资金，都是指数级增长的，越往后越难搞。

2000年开始，我国开始启动研究193nm ArF光刻机的项目。正如前文所说，那个时候ASML已经正在研究EUV光刻机了。

2002年，光刻机被列入国家863重大科技攻关计划，由科技部和上海市共同推动成立上海微电子装备有限公司来承担。

上海微电子基本上也代表了目前国产光刻机的最高水平。经过十多年的发展，目前其自主研发的600系列光刻机可以实现90nm制程工艺芯片的量产，使用的还是193nm ArF光源。

很明显，从制程工艺的角度上看，国产光刻机目前和ASML差距非常大。不过，国际上其他国家也基本没有量产157nm及以下光刻机的，从这个角度看，国产光刻机和除ASML之外的国际水准也并未落后多少。

目前上海微电子还在研究为65nm制程芯片服务的光刻机，什么时候能够做出来，还不好说。

总之，目前国产光刻机能实现的制程水平还卡在90nm，和ASML差距明显，高端光刻机还是要靠进口。

半导体行业没有捷径

世界局势风云变幻，现实不断催促我们必须尽快在半导体技术领域有所突破。

但是，在这个产业里，其实也没有什么捷径或者弯道超车的路可走，只有一个制程节点一个制程节点地去攻破，积淀技术。想要追赶国际领先的水平，只有付出更多的精力，投入更多的资源。

光刻机，当然至关重要，但并不是说，花钱买来一台EUV光刻机，中国半导体产业就能一跃而上。

同时，这个行业进化节奏之快，对于科研人员来说，也没有太多成绩上的激励，必须十年甚至几十年如一日地沉下心来去做。

而这，是ASML能够崛起的原因，也是我们想要实现追赶的唯一途径。