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台积电 2nm 制程研发取得突破,将切入 GAA 技术

2020-07-13
来源:EETOP
关键词: 台积电 2nm GAA

  台积电冲刺先进制程,在 2nm 研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around,简称 GAA)技术。

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  台媒称,三星已决定在 3nm 率先导入 GAA 技术,并宣称要到 2030 年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入 2nm 研发,并获得技术重大突破,成功找到切入 GAA 路径。

  台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。

  台积电 3nm 制程预计明年上半年在南科 18 厂 P4 厂试产、2022 年量产,业界以此推断,台积电2nm 推出时间将在 2023 年到 2024 年间。

  台积电今年 4 月曾表示,3nm 仍会沿用 FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,主要考虑是客户在导入 5nm 制程后,采用同样的设计即可导入 3nm 制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

  台积电成立于 1987 年,是全球最大的晶圆代工半导体制造厂,客户包括苹果、高通等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券交易所上市,股票代码为 2330,另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易,股票代号为 TSM。


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