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恩智浦启用美国6英寸射频氮化镓晶圆厂,预计底将产能可达满载

2020-10-13
来源:与非网

       据悉,恩智浦半导体(NXP)宣布正式启用位于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)的 6 英寸射频氮化镓(GaN)晶圆厂,这是美国境内专注于 5G 射频功率放大器的最先进晶圆厂。

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  恩智浦表示,这座全新氮化镓晶圆厂已通过认证,首批产品将持续推出上市,预计 2020 年底将达到产能满载。

  恩智浦指出,此全新工厂结合恩智浦射频功率领导者的专业与大规模量产技术,代表实现创新,有助支持 5G 基站与先进通信基础设施在工业、航空航天和国防市场的扩展。

  恩智浦半导体总裁兼首席执行官 Kurt Sievers 在演讲中表示,今日象征着恩智浦的重要里程碑。通过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才,让恩智浦能够更聚焦于发展氮化镓技术,将其作为推动下一代 5G 基站基础建设的一部分。

  随着 5G 的发展,射频解决方案中每个天线所需的功率密度呈指数级增长,但仍需保持相同的机箱尺寸,并降低功耗。氮化镓功率晶体管已成为满足这些严格要求的新黄金标准,能够大幅提高功率密度和效率。

  同时,恩智浦半导体执行副总裁兼无线电功率业务部总经理 Paul Hart 表示,恩智浦团队向来致力于建造世界上最先进的射频氮化镓晶圆厂,该晶圆厂的能力可扩展至 6G 甚至更高。

  氮化镓是硅的替代品,被视为是第三代半导体材料。半导体材料第一代为硅,第二代是砷化镓,第三代除了氮化镓,还包括碳化硅。氮化镓是 5G 网络中的关键材料之一,因为它能处理应用于 5G 网络的高频率,同时比其他芯片材料功号更低,所占空间更少。

  利用氮化镓量产芯片仍是一项具利基的尝试,多数的供应来自恩智浦、SkyWorks Solutions 与 Qorvo。

  恩智浦半导体表示,这座新工厂将生产 6 英寸的氮化镓晶圆,与用于多数传统硅计算芯片的晶圆尺寸相比只有一半,但在替代性材料中,这样的尺寸很常见。

  据悉,恩智浦的亚利桑那州工厂将设有一座研发中心,协助工程师加速氮化镓半导体的开发与申请专利。

  恩智浦表示,预计这座工厂年底前就会产能全开。

  值此之际,美国政府正讨论推出百十亿美元的激励计划,用以让更多芯片制造商将生产线迁回美国本土。

  由此来看,恩智浦在美国设厂的重要原因,或许是为了给予平息美国的“担忧”,从而进一步开拓当地市场。

  据日经亚洲评论 9 月 26 日消息,美国国会正酝酿一项计划,打算拨款 250 亿美元(折合约 1705 亿元人民币)作为激励资金,鼓励更多跨国芯片制造商将生产线迁至美国。根据美国的设想,将对每个新来的芯片项目发放 30 亿美元(折合约 204 亿元人民币)的补贴。

  早从去年 10 月开始,美国就频繁对外喊话,希望更多制造商将供应链放到美国。这一举动的背后,就是美国担忧华为、中兴等中国企业的崛起,或将会吸引更多跨国芯片制造商将生产集中至中国,届时美国失去了在芯片领域的优势地位,很有可能将面临“断供”的困境。

  值得一提的是,恩智浦半导体与华为也有着不小的“渊源”。在 2018 年华为公布的 92 家核心供应商名单中,这家荷兰巨头是华为为数不多的连续十年金牌供应商之一,另一个是美国巨头英特尔。随着 9 月 14 日美国新规正式生效,外界也纷纷猜测华为在欧洲的供货商是否会受到影响。

  数据显示,中国是恩智浦全球第一大市场,2018 年,来自中国的订单额在其全年营收的占比高达 36%。而据美国媒体报道,截至目前,恩智浦半导体还未对美国的新规做出任何回应。



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