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意法半导体推出世界首款驱动芯片与GaN晶体管的集成化解决方案

2020-11-22
来源:电子产品世界

tify;">意法半导体(ST) 近日推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的 MasterGaN® 产品平台,对于400W以下轻便节能的消费电子、工业充电器以及电源适配器而言,意法半导体提出的这个集成化方案有助于加快开发速度。

GaN技术 使电子设备能够处理更大功率,同时设备本身变得更小、更轻、更节能,这些改进将会改变用于智能手机的超快充电器和 无线充电器 、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器,以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。

在当今的GaN市场上,通常采用分立 功率晶体管 和驱动IC的方案,这要求设计人员必须学习如何让它们协同工作,实现最佳性能。

意法半导体的MasterGaN方案绕过了这一挑战,缩短了产品上市时间,并能获得预期的性能,同时使封装变得更小、更简单,电路组件更少,系统可靠性更高。

凭借GaN技术和意法半导体集成产品的优势,采用新产品的充电器和适配器比普通硅基解决方案缩减尺寸80%,减重70%。

意法半导体执行副总裁、模拟产品分部总经理Matteo Lo Presti表示:“ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力,整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成,能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。”

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。

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MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度只有1mm。

意法半导体还提供一个产品评估板,帮助客户快速启动电源产品项目。

技术细节:

MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE 600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度,为高压应用设计,高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。

该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以引脚兼容的半桥产品形式供货,方便工程师成功升级现有系统,并尽可能少地更改硬件。

在高端的高能效拓扑结构中,例如,带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振变换器,无桥图腾柱PFC(功率因数校正器),以及在 AC/DC 和 DC/DC变换器 和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑,GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性,使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。

MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管,最大额定电流为10A,导通电阻(RDS(ON)) 为150mΩ。

逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号,还配备全面的保护功能,包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用引脚和过热保护。


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