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SK海力士新建EUV光刻第五代10nm DRAM先进生产线

2020-12-07
来源:EETOP

  据韩国专业电子行业媒体etnews报道, SK Hynix已开始在其总部DRAM工厂建造一条采用EUV光刻技术的先进生产线。据悉,该公司正在转让现有的生产设备,并安装新的设备,如EUV光刻系统和清洁车。

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  SK Hynix的总部和工厂(韩国京畿道里川市)全景(来源:SK Hynix)

该报称,除了升级M14晶圆厂的设备外,还将在即将启用新晶圆厂的M16晶圆厂安装ASML EUV光刻系统,由于应用EUV光刻技术的晶圆是M14和M16,SK Hynix将同时为M14和M16做准备。虽然EUV光刻设备本身将安装在M16,但在EUV上光刻生产的DRAM相信会通过晶圆厂之间的晶圆传输路径在M14生产。 半导体人士解释,这种新旧两条线的准备方法是公司风险对策的一部分。

  该公司表示:“的确,我们正在为使用EUV的DRAM的大规模生产做准备,但目前还没有宣布具体的生产计划。”

  2020年8月,DRAM竞争对手三星电子宣布在平泽工厂新建的第二座生产线(2号线)开始生产16 Gbit LPDDR5移动DRAM。可以说是SK海力士遵循的形式。

  由于NAND的3D转换,该过程的微型化已停止,但是由于DRAM尚未转换为3D,因此该过程的微型化是渐进的,但仍在继续。我们已经在10nm范围内研究1X-nm,1Y-nm和1Z-nm的工艺,并且我们相信EUV将在1Z-nm和1A(α)-nm或更晚的世代之后应用。

  顺带一提,之前三星已将EUV应用于1Z-nm DRAM,但SK海力士将从2021年起将EUV应用于1A-nm DRAM,而非1Z-nm,并将于2022年将EUV应用于1B(β)-nm,即第五代10nm DRAM。


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