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上海:争取集成电路12纳米先进工艺规模量产

2021-01-27
来源:全球半导体观察

  据财联社消息,2021年的上海两会上,上海发改委提交的报告透露了多个重要信息。其中,在集成电路方面,上海争取集成电路12纳米先进工艺规模量产。

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  尽管财联社的报道并未提及量产的具体情况,不过有媒体报道称,该12纳米先进工艺或是中芯国际位于上海的中芯南方的新工艺。

  据了解,中芯南方2016年12月成立于上海,为中芯国际“12英寸芯片SN1项目”的实施主体,该项目总投资90.59亿美元,工艺技术水平为14纳米及以下,规划月产能3.5万片,是中国大陆第一条FinFET工艺生产线,也是中芯国际14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。

  中芯国际联席首席执行官梁孟松早在2019年中就曾表示,FinFET研发进展顺利,12nm工艺开发进入客户导入阶段,下一代FinFET研发在过去积累的基础上进度喜人。上海中芯南方FinFET工厂顺利建造完成,开始进入产能布建。

  截至2019年12月31日,中芯南方运营的12英寸先进制程产线处于试生产阶段。


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