《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 电源技术 > 业界动态 > Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效

Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效

器件额定电流4 A~40 A,采用MPS结构设计,降低开关损耗和温变影响
2021-01-28
来源:Vishay

宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月28日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出十款新型650 V 碳化硅(SiC肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。 

20210128_SiC_Schottky_2L_TO-220AC_TO-247AD_3L_Packages.jpg

日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。

器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流为4 A~40 A,可在+175 °C高温下工作。

器件规格表:

截图20210128195556.png

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。