科学技术的不断进步推动固体激光技术更加进一步的提高和完善，激光将在人类生产生活发展过程中起到越来越重要的作用。

　　从红宝石激光器问世开始，全固态激光器的发展就如雨后春笋般迅猛，各国科学家在这一领域做出了许多贡献。在首台激光器诞生后两年，美国学者Hall等人首先在实验室研制出砷化镓半导体激光器，获得发射谱峰值波段为880nlll左右的激光，这一研究成果为后来将传统的闪光灯泵浦源替换为激光二极管泵浦源提供了实验基础。

　　接着在1964年，美国科学家Keyes等人就开始将半导体激光器技术应用在固体激光器中并成功实现了这一设想，使LD作为激励源在实验中得到证实，其实验中所采用的增益介质为CaF2：U3+（掺铀钨酸钙）。

　　1968年，麦道公司（现波音公司）的罗斯等人首先完成了用砷化镓半导体激光器泵浦掺钕钇铝石榴石晶体，实现了重复频率为200Hz的脉冲输出，为了使泵浦源的发射谱与增益介质的吸收谱相匹配，二极管被冷却到170K。

　　1972年，研究学者Rosenkrantz使用砷化镓半导体激光器泵浦掺钕钇铝石榴石激光晶体，这次研究ZUI重要的贡献在于实验是在室温下进行，使激光器摆脱了较为繁琐的控温步骤限制，为全固态激光器的大规模使用提供可能。

　　1974年，Conant等人采用砷化镓激光二极管泵浦掺钕钇铝石榴石晶体，通过侧面泵浦方式实现了120mW的激光输出，受限于当时半导体制作工艺发展的不成熟，二极管自身功率和转换效率不能达到理论要求，因而使其研究受到阻碍。

　　1975年，Rice等学者对激光二极管泵浦掺钕钇铝石榴石激光器进行研究，这次工作的主要成果是在端面泵浦方式下成功研制出准连续激光器。

　　上世界八十年代，得益于半导体材料研究的不断突破，激光二极管核心技术的发展也有了突飞猛进的进步，这时的激光二极管已经开始打破了小功率工作的限制，并且使自身的工作效率成倍增加。

　　与此同时，半导体激光器的发展还借鉴了当时先进的技术方法，采用材料科学中新研究出的量子阱和应变量子阱结构来提升晶体的制备工艺和性能，在这一时期发明了很多直到今天还在应用的工艺技术，如在薄膜制备中使用的分子束外延、化学气相沉积等方法。这些技术的出现和应用使得全固态激光器的大规模使用成为实际。

　　到1990年以后，DPSSL不再受限于泵浦源LD的输出功率和波长匹配等因素的影响，进步十分明显。

　　1990年，美国锡莱亚太拉斯公司首次将半导体激光器的输出功率提升到75W以上，为全固态激光器未来向更大功率的发展提供了更多的可能。

　　l993年，Taguchi等学者采用半导体激光器泵浦掺钕钇铝石榴石晶体得到了上千瓦的激光输出，同时还实现了激光器件的轻量化，其体积等同于常用皮球的体积。

　　1998年，德国研究学者Ozygus等人通过合理设计，采用双激光晶体串接和半导体激光器侧面泵浦方式实现了对掺钕钇铝石榴石晶体的1600W激光输出。

　　2000年以后，研究学者和制造公司都意识到大功率激光器将会在未来社会发展中发挥重要的科学价值和经济价值，因而大力开展有关全固态激光器研究领域的课题，促进了激光器朝着更高水平的发展，在这一阶段也产生了众多的研究成果。

　　二十一世纪初，美国LLNL国家实验室Mitchell等科学家实现了1080W的激光输出，主要用到的技术方法有采用半导体激光器端面泵浦方式，使用掺镱钇铝石榴石（Yb：YAG）作为增益介质。

　　2005年，美国Bruesselbach等学者成功实现了输出功率为2.65kW的激光器的研制，主要难点是在于采用一根Yb：YAG晶体能够输出千瓦级别的大功率，其光一光转效率为29.4％。

　　我国激光技术从上世纪60年代初期开始发展。1961年，新中国首台激光器于中科院长春光机所研制成功，这是我国激光技术的发端，从此开创了中国激光技术历史的新篇章。

　　上世纪八十年代中期，周炳煜等学者通过将完整的Nd：YAG激光介质作为激光起振的光学腔，通过使用半导体激光器端面泵浦方式实现了4.4mW的输出，其中心辐射波长为1.06pm。

　　2004年，徐德刚等研究人员采用大功率激光二极管阵列泵浦Nd：YAG晶体，成功研制85W绿光激光器，光光转换效率为9.7％。

　　2007年，清华大学报道了使用激光二极管泵浦Yb：YAG复合晶体，获得光束质量M2为20、斜效率为34.8％、ZUI大输出功率超123W的激光输出。

　　目前，全固态激光器凭借其重要的研究价值和优秀的应用价值，吸引了全球各国学者的目光，对其的研究都在积极推进中。