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Intel 4工艺加速量产,失去了傲慢本钱的台积电颇为彷徨

2022-06-14
来源:柏铭007
关键词: Intel 台积电 晶体管

台积电和三星的3nm工艺量产云里雾里的时候,Intel宣布它的Intel 4工艺也将在今年下半年量产,如此一来台积电和三星的3nm工艺领先优势可能成为泡影。

近几年来台积电和三星几乎保持着1-2年升级一代芯片制造工艺的脚步,到如今它们投产的最先进工艺已是5nm,而Intel则在去年底才投产10nm;台积电和三星在今年下半年量产3nm,而Intel则在今年下半年量产7nm。

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从纳米工艺的数字来看,Intel无疑已远远落后于台积电和三星,不过这仅仅是它们在命名方面的差异,然而在芯片制造工艺的实际性能方面,其实差距并没有如名字那么大,Intel甚至还稍微领先于三星。

对于芯片制造工艺的性能,去年台媒digitimes曾根据晶体管密度给出了不同的评论,对Intel、台积电、三星三家芯片制造厂的工艺做了比较,根据晶体管密度,Intel的10nm工艺达到1.06亿个晶体管每平方毫米,而台积电、三星的7nm工艺才分别为0.97、0.95亿个晶体管每平方毫米。

并且越到后面的先进工艺,三者的差距就越大,digitimes认为Intel的7nm工艺与台积电的5nm工艺相当,而三星的5nm工艺则比台积电落后四分之一,预计三星的3nm工艺晶体管密度才能达到台积电5nm工艺和Intel 7nm工艺水平。

Intel在芯片制造工艺命名上吃了亏,因此Intel新任CEO基辛格上任后也开始依照台积电和三星的命名规矩,对它的芯片制造工艺改名,10nm工艺被改名为Intel 7工艺,7nm工艺则被改名为Intel 4工艺。

目前Intel、台积电、三星等在芯片制造工艺上展开了激烈的竞赛,Intel预计在今年下半年量产Intel 4工艺后只比台积电稍微落后,却比三星领先,正力争提前量产Intel 20和Intel 18A工艺,力求在2025年量产Intel 18A工艺反超台积电。

台积电也不甘示弱,台积电加速了它的2nm工艺进程,预计2024年量产2nm,比原计划提前一年;当下的3nm工艺研发团队立即转入研发1.4nm工艺,力争在2025年量产,以保持对Intel的领先优势。

但是Intel背后有美国的支持,为了支持Intel加速先进工艺研发,目前美国计划将520亿美元的芯片补贴优先给包括Intel在内的美国企业,台积电和三星顺应美国要求后在美国设厂却可能无法得到这笔补贴;同时ASML也在美国的要求下扩大它在美国的工厂,并优先将第二代EUV光刻机交给Intel。

在诸多因素影响下,孤军奋战的台积电还能否加速2nm、1.4nm工艺研发就存在疑问,面对种种困难,台积电如今已悄悄降低了对美国芯片的依赖度,今年一季度中国大陆芯片贡献的营收占比达到了11%,较去年的6%大幅提升,似乎台积电认识到了中国大陆芯片的重要性,希望依靠中国大陆芯片制衡美国芯片。




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