《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 电子元件 > 业界动态 > 豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

2022-06-28
来源:豪威集团

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护,离不开高性能的开关器件。近日,豪威集团全新推出两款MOSFET:业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。

11.png

WNMD2196A超低Rss(ON),专为手机锂电池保护设计

近几年,手机快充技术飞速发展,峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时,高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用,其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。

2.png

双N沟道增强型MOSFET,WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻,RSS(ON)低至1m?,专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计,提供卓越的RSS(ON)的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快,阙值电压低,开关速率高。

WNMD2196A兼顾性能与设计灵活性。该产品采用 CSP封装,更紧凑,方便电池应用布板设计。同时,优化的SOA特性,提高承受冲击电流的能力;超低RSS(ON),可实现更高的效率和更低的温升,提升了产品的可靠性。

3.png

WNMD2196A参数

WNM6008 80V高功率MOSFET 适用太阳能、电池供电应用

WNM6008——80V高功率MOSFET,采用最新一代Shield Gate技术,针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化,具备超低FOM值(开关应用重要优值系数)。WNM6008低开关和导通损耗,可实现更高效率、更优EMI性能。适用于同步整流应用,优化了反向恢复电荷从而实现更低的尖峰电压,提供最高水平的功率密度和能效,继而为电源提供更高的效率和更强的可靠性。

4.png

WNM6008适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。该产品符合RoHS环保标准,采用QFN5x6标准紧凑封装,在实现高功率密度的能量传输的同时,方便对市场上同类产品进行升级替换。

5.png

WNM6008参数

豪威集团凭借多年技术沉淀,紧跟市场需求,在MOSFET工艺上具有导通阻抗低、封装紧凑、类型齐全,能够满足多种定制化需求的独特优势。未来,豪威集团将持续发力电路保护领域,不断升级创新,为数字电路应用的新时代助力赋能。




1最后文章空三行图片11.jpg


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。