8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布了一项临时最终规则（Interim final rule），作为《商业管制清单》（CCL）和《出口管理条例》（EAR）的相应部分，以实现对四个方面的控制，分别为两种超宽带隙半导体衬底——氧化镓和金刚石、GAAFE结构集成电路所必需的电子计算机辅助设计软件EDA（ECAD）、用于生产和开发燃气涡轮发动机部件或系统的压力增益燃烧 (PGC) 技术。

　　临时最终规则是由联邦机构发布的规则，在发布后生效，无需首先就规则的实质内容征求公众意见，一般在紧急情况和其他需要时使用，可以帮助加快监管流程，以便能快速实施有约束力的监管要求，最终由法院来确定该临时最终规则是否合理，不利的裁决可以使相关机构重启监管程序。

　　虽然这次没有点名中国，但就美国在半导体领域的禁令而言，我国成为首要目标这件事是毋庸置疑的。

　　8月15日，该规则正式生效，意味着美国在半导体领域控制的进一步加码。

      不过，关于EDA的禁令将延迟60天生效，具体生效日期为2022年10月14日，其中有30天是意见征询期。目前，美国BIS正在征求公众意见和行业意见，以确定哪些EDA特性尤其适合设计GAAFET，以便进行进一步管控。

　　EDA（Electronic Design Automation，电子设计自动化）是集成电路设计的关键软件，一度被称为“半导体皇冠上的明珠”，可用于辅助完成超大规模集成电路芯片的设计、 制造、封装、测试等流程，几乎涉及了集成电路的各个方面，由美国EDA三巨头Cadence、Synopsys（新思科技）、Siemens（西门子）等公司构建，这三家公司在我国EDA市场的占有率近8成。

　　美国的新规则限制了用于GAAFET架构集成电路所必需的EDA软件，意味着限制了高端芯片的设计。

　　GAAFET（Gate-All-Around FET，全环绕栅极晶体管）被广泛认为是鳍式场效应晶体管（FinFET）的接任者，在过去的十余年时间里，FinFET一直是半导体器件的主流结构。今年6月，三星宣布率先量产了基于GAAFET技术的3nm工艺，台积电目前仍未导入。

　　美商务部表示，GAAFET是芯片制程突破3nm及以下的关键技术节点，负责出口管理的商务助理部长Thea D. Rozman Kendler称，“我们正在通过多边制度实施控制，保护规则中确定的四种技术免受恶意使用，这项规则表明，我们将致力于同我们的国际伙伴一起实施出口管制”。

　　可见，美国已经在半导体先进制程上设好了路障，预先拦截其他国家可能实现的半导体技术突破，主要是将中国挤出下一代半导体竞争。

　　其实早在本月初，就有消息人士透露，美商务部将发布新规则限制对华出口EDA软件，如今，随着美国芯片法案的落地以及一系列半导体禁令的展开，EDA禁令也被正式提出。

　　目前，我国的芯片厂商们主要停留在5nm和7nm的制程关卡，到2nm和3nm制程还有段距离，可能对这项禁令的反应不会特别明显，但限制EDA工具带来的潜在威胁仍不容忽视，关系到中国半导体产业的未来。

　　这就让人不得不把目光聚焦到EDA国产化的层面上来。

　　赛迪智库的数据显示，2018~2020年我国本土EDA软件的营收份额从6%提升到了11%，取得了一定程度的进步，但面对美国EDA三巨头在我国市场78%的份额，还是相去甚远。

　　而且，国内相关厂商主要分散在细分领域耕耘，无法覆盖全EDA产业链，而且以点工具为产品的企业居多，距离工业化仍有一段路要走，这样一来，从建立全流程生态到实现3nm及以下制程工艺的突破，对每一家企业来讲，都需要一定的时间。

　　不过，即便任重道远，也还是要向前行进的，毕竟，这场半导体之战，已不容人后退。

　　只是不知道，发展EDA和制造光刻机，哪个会更容易些。

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