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意法半导体碳化硅数位电源解决方案被肯微科技采用   

用于高效率可靠的服务器电源供应器设计及应用
2024-04-08
来源:意法半导体

  结合ST第三代碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管、STGAP隔离驱动器和STM32微控制器技术,此图腾柱无桥式功率因数修正器(PFC)解决方案为一个即插即用的解决方案,满足数据中心之高阶服务器和电信通讯电源设计的需求

  2024 年 3 月 29 日,中国—服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作,设计及研发使用ST被业界认可的碳化硅(SiC)、电气隔离和微控制器的服务器电源参考设计技术。该参考方案是电源设计数位电源转换器应用的理想选择,尤其在服务器、数据中心和通信电源的领域。

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  随着人工智能(AI)、5G和物联网(IoT)的推波助澜下,对数位服务的需求持续成长,能源及用电控制是数据中心永续发展需面对的重要课题。STDES-3KWTLCP参考设计适用于3kW及更高功率CRPS(一般备援电源供应器)服务器电源供应器。这项技术进步具有卓越的效率、能更快完成开关任务、降低量损耗和有更加的散热管理能力。此外,该统解决方案能够让客户有效缩短产品上市时间。

  居全球高效电源供应器前沿地位,肯微科技是拥有全球80 PLUS钛金级电源供应器证书的引导者,确保高达96%的电源使用效率。用心把电源供应器做到最好,肯微科技的电源供应器解决方案是高效能运算(HPC)、人工智能(AI)、深度学习(Deep Learning)、云端及各式先进应用的理想选择。此外,藉由该电源解决方案的高功率密度,可以在不影响可靠性和效率的前提下优化使用空间,为要求严格的运算环境中树立了新的性能标准。

  肯微科技技术副总Robin Cheng表示,将意法半导体最新的SiC MOSFET、电流隔离和微控制器技术与肯微科技业界领先的电源供应器设计专业知识相结合,有助于我们增加设计能力及创造能力,开发高密度和高效率的电源供应器,提供达到89W/in3的高密度小尺寸和高功率输出的服务器或电信设备电力解决方案。

  意法半导体电源与能源技术创新中心负责人周光祖则表示,“ST的电源与能源技术创新中心着眼于工业市场,利用最新的半导体技术为客户提供低功率、中功率和高功率整体解决方案。而STDES-3KWTLCP参考设计可以帮助客户利用ST高效而可靠的电源解决方案,提升其产品的能源效率并缩短上市时间。”

  技术资讯:

  STDES-3KWTLCP是一个3kW AC-DC转换器,专为3kW电信整流器应用而设计,特别是这些应用需要在宽范围的输出负载和输入电压下维持高效率。

  该参考设计为达到之40 W/in3的精密型解决方案的终极目标开创了一个方式,同时其高峰值效率高达96.3%,全负载的输出谐波失真(THD)则小于5%,而且材料成本更低。

  整个系统由两级电源组成,第一个为STM32G474RBT6控制的图腾柱无桥式功率因数校正,第二个则是STM32G474RBT6控制的隔离直流转换器,采用全桥LLC拓朴结构,并具有零电压切换(ZVS)和同步整流功能。

  STDES-3KWTLCP是一个完整的设计方案,可以帮助使用者利用ST最新的功率元件设计创新拓扑:包括碳化硅MOSFET、高压MDmesh MOSFET、STripFET MOSFET、STGAP隔离FET驱动器,以及VIPer转换器。




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