经历多次挫折后，三星电子的12层HBM3E高宽带存储芯片终于获得算力巨头英伟达的首肯。

据知情人士透露，三星的第五代12层HBM3E近期刚通过英伟达的资格测试。这一批准距离三星完成芯片开发已有18个月之久，期间的数次测试均未能满足英伟达苛刻的性能要求。

技术资料显示，英伟达的旗舰B300人工智能加速器，以及AMD的MI350等系统均部署这种大容量存储芯片。三星此前已经向AMD出货该芯片，但一直卡在英伟达的供应商门槛前。因此，这一认证也有恢复三星技术信誉的重要作用。

业内人士透露，这一成就很大程度上归功于三星电子芯片业务负责人全永贤年初拍板重新设计HBM3E的DRAM核心，解决了早期版本的热性能问题。

但由于三星是SK海力士、美光科技后第3家获得批准的供应商，消息人士称英伟达的订单量仍会相对较少。因此一位业界高管评价称：“供货英伟达对于三星而言，更多是关乎自豪感，而非营收。得到英伟达的认可意味着其技术已重回正轨。”

三星HBM4逆袭成功：祭出顶级1c工艺 性能暴涨37%

前不久SK海力士宣布全球首发量产HBM4，但他们使用的还是第五代10nm级工艺1b，三星直接把最先进工艺用于HBM4了，在平泽的P5工厂直接上马了第六代10nm级DRAM工艺——1c工艺。

凭借1c工艺以及4nm逻辑工艺上的积累，三星将HBM4的频率做到了11Gbps，这意味着它比标准版HBM4的8Gbps性能提升了37.5%。

NVIDIA为了对抗AMD明年的MI450系列AI显卡，正在要求供应商将HBM4的频率提升到10Gbps，三星率先做到11Gbps，显然有助于他们获得NVIDIA的订单。

现在三星算是在技术上先逆袭了，不过最终能不能拿下NVIDIA及AMD的订单，还得看后续，包括产能及定价。

谁将引领HBM4供应？

从目前的竞争态势来看，SK海力士因其稳定的量产能力和与英伟达深厚的合作历史，仍处于相对有利的位置。而三星则需在技术推进和产能保障两方面同时发力，才有可能在HBM4时代实现更显著的市场突破。这一动态也反映出HBM行业的技术竞争正逐渐从堆叠层数和容量扩展，转向制程精度、信号速率及整体能效的全面提升。

HBM4的市场格局尚未最终确定，供应商之间的技术较量与战略合作仍将持续。未来几个季度中，英伟达的决策、AMD产品的市场表现以及全球AI加速器需求的变化，都将深刻影响HBM4供应链的权力分配。无论结果如何，行业技术的整体进步与市场竞争的白热化，最终将推动高带宽内存向更高性能、更优成本的方向发展。