第三代半导体突破供电瓶颈 有望在AI数据中心领域广泛应用
2025-11-12
来源:财联社
为支持高功耗高性能AI计算日益增长的需求,碳化硅衬底逐渐被用于AI数据中心电源供应单元的交直流转换阶段。
降低能耗、改进散热解决方案并提升服务器的功率密度,打开了碳化硅产品的应用领域和天花板。
AI服务器功耗高,数据中心需要使用更高功率的供电架构。
为了应对更高端的AI运算,服务器供电系统各环节的效能、功率密度需要进一步提高。
SiC/GaN等第三代半导体材料具有高击穿电场、高迁移率等特点,允许材料在更高的温度和电压下运行,降低能耗和成本。
目前头部厂商正在持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用。
东方证券指出,展望未来,在AI服务器及数据中心的大功率供电需求不断提升的趋势下,SiC/GaN有望得到更广泛的应用。
相关上市公司中:
天岳先进表示,公司的客户英飞凌、安森美已成功进入英伟达等行业巨头的供应链,成为AI算力基础设施的重要组成部分。
三安光电的碳化硅产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试,产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。

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