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美光科技:DRAM供应短缺将持续至2026年后

扩产能也满足不了需求
2025-12-18
来源:IT之家
关键词: 美光 存储芯片 DRAM

12 月 18 日消息,对于个人电脑发烧友而言,动态随机存取存储器(DRAM)市场的前景不容乐观;但这对美光科技来说却是另一番光景,在砍掉旗下消费级品牌英睿达后的首场财报电话会议上,美光宣布其 DRAM 与 NAND 闪存业务营收创下历史新高。在这场披露 2026 财年第一季度财务细节的会议中,美光总裁、董事长兼首席执行官桑杰・梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)再次强调了存储行业的共识:DRAM 供应短缺的状况将持续至 2026 年以后。

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美光财报显示,2026 财年第一季度营收达到 136.4 亿美元(注:现汇率约合 961.82 亿元人民币)的历史峰值,同比增长近 57%,同时实现了“显著的利润率扩张”。正如外界所料,美光将这一增长归功于人工智能数据中心需求的攀升以及产品售价的上涨。目前来看,这类需求丝毫没有放缓的迹象。梅赫罗特拉重申,美光预计供应紧张的局面“将持续至 2026 年年底之后”,且公司正在推进为期数年的长期供货承诺。

高带宽内存(HBM)也是驱动增长的关键因素。HBM 所需的晶圆面积是 DDR5 内存的三倍,美光预计其 HBM 业务营收将实现“强劲增长”。该公司预测,到 2028 年,HBM 的总体可寻址市场规模(TAM)将突破 1000 亿美元,超过 2024 年整个 DRAM 市场的规模。

尽管砍掉了英睿达品牌,美光仍在持续为个人电脑和手机供应 DRAM 芯片。该公司预计,即便在供应受限的情况下,个人电脑的出货量仍将保持增长态势。美光表示,即便未来几年营收和产能实现扩张,公司依然“遗憾地”无法满足所有细分市场的需求。

目前,美光的产能扩张计划正在推进。该公司正在爱达荷州建设两座晶圆厂,其中第一座预计将于 2027 年年中投产;同时,纽约晶圆厂的建设计划也在有序进行,美光预计于 2026 年初破土动工,2030 年前后正式投产。

即便完成产能扩张,美光预计也仅能满足其“核心客户”一半至三分之二的需求。梅赫罗特拉指出,客户对于“长期获取存储芯片的渠道感到担忧”,因此纷纷签订多年期合约以锁定货源。

DRAM 供应短缺正持续推动 DDR5 内存价格飙升。多数供应商认为,短缺状况至少会持续至明年,甚至更久,但也有部分厂商认为价格即将企稳。显卡厂商蓝宝石表示,DDR5 价格将在未来六至八个月内趋于稳定,而金士顿则认为其价格在未来仍会“持续上涨”。


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