11月10日消息，英飞凌宣布，已成功在奥地利菲拉赫工厂将300mm碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为全球首家完成这一成果的半导体公司。

与目前200mm晶圆相比，300mm晶圆生产技术更先进、效率更高：更大的晶圆直径使每片晶圆可生产更多芯片，数量可达原来的2.3倍。此次英飞凌成功将300mm碳化硅晶圆从实验室带入制造环境，取得重大进展，这一技术里程碑进一步巩固了其在电力系统领域的领导地位。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，在功率半导体领域的领导地位意味着要不断将技术推向新高度；凭借硅、氮化镓以及如今的300mm碳化硅晶圆，英飞凌在扩大半导体制造规模和推动盈利性增长方面处于领先位置。

碳化硅的材料特性使其能在高电压、高温下实现更低功率损耗、更高功率密度和更高效运行，是高效功率转换的关键半导体材料，可用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电器、大规模储能以及不间断电源等。随着数据中心需求上升，碳化硅将承担新的角色，而英飞凌将通过广泛的产品组合满足这些需求。

与此同时，英飞凌还在德国德累斯顿工厂成功验证了300mm碳化硅冷分片技术的可行性。该技术可提升晶锭到晶圆工艺的效率，减少加工损耗，并显著缩短处理时间、降低资本支出。英飞凌可根据市场需求扩展碳化硅技术，以满足客户不断变化的需求。