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意法半导体(ST)推出SuperMESH3 功率MOSFET,提高照明系统和开关电源应用的能效、可靠性和安全性

全新MOSFET系列首款产品,带来优异的导通性、开关性能与耐受能力,并节省电路板空间
2008-09-23
作者:意法半导体
 

功率半导体世界领先厂商意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能" title="开关性能">开关性能和能效,功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术,结合更低的导通电阻" title="导通电阻">导通电阻,确保晶体管具有更高的能效。此外,配合优异的dv/dt" title="dv/dt">dv/dt性能及更高的击穿电压裕度,将大幅度提高可靠性和安全性。 

 

620VSTx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列产品的首款产品随后还将推出620VSTx3N62K3525V STx7N52K3 STx6N52K3。利用SuperMESH3技术可以降低导通电阻的优点620V电压下,DPAK封装的STD6N62K3把导通电阻RDS(on)降低到 1.28Ω525V电压下,STD7N52K3把导通电阻RDS(on)降低到0.98Ω,从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(Trr)、栅电荷量和本征电容,提高开关性能和工作频率。 

 

优化的垂直结构和带状拓扑的融合,为意法半导体" title="意法半导体">意法半导体的SuperMESH3技术增添了一个新的优点:即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性,SuperMESH3器件全部经过了100%的雪崩测试,并集成了齐纳二极管保护功能。 

 

在可比的快速恢复高压晶体管技术中,SuperMESH3的单位面积导通电阻最小,受益于这项技术, STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以使用比同级别产品尺寸更小的封装,如DPAK。这可以节省晶体管的占位面积和电路板空间,同时,在开关和散热性能方面,还能与尺寸更大的产品媲美。 

 

STx6N62K3采用IPAK、DPAK、TO-220和TO-220FP封装。  

 

2.5ΩSTx3N62K3将采用IPAKDPAKD2PAKTO-220TO-220FP封装。0.98ΩSTx7N52K3将采用DPAKD2PAKTO-220TO-220FP封装,1.2ΩSTx6N52K3将采用DPAKTO-220FP封装。这些产品将丰富SuperMESH3 620V和525V系列产品组合,新产品将于2008年第四季度投产。 

 

关于意法半导体(ST) 

意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所" title="股票交易所">股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2007年,公司净收入100亿美元,详情请访问ST网站 www.st.com ST中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn 

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