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安森美半导体推出下一代高速电信设备用浪涌保护器件系列

新的晶闸管浪涌保护器件(TSPD) 杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力,同时维持低电容和低泄漏
2008-10-14
作者:安森美半导体
 

全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出新的低电容" title="低电容">低电容晶闸管浪涌" title="浪涌">浪涌保护器件" title="保护器件">保护器件(TSPD)系列,专为保护下一代高速电信设备而设计。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力,同时维持低电容和低泄漏,是先进电信产品的极佳组合。 

 

NP0080NP0120NP0160低电容、低泄漏TSPD器件采用节省空间的TSOP-5封装,保护数字用户线路(DSL)芯片组和线路驱动器。虽然在正常电路工作期间它们本质上并不参与工作,但在发生浪涌和静电放电(ESD)事件时它们发挥极佳的电路保护性能。它们在工作电压范围内拥有小于3皮法(pF)的固有低差分" title="差分">差分电容,能够排除高速数据线路上的信号失真。这NP0xxx TSPD系列提供极佳保护,在发生8 x 20微秒(uS)浪涌事件时,具有大于50(A)的电流承受能力。它们通常在接入和客户端设备(CPE)DSL隔离变压器和DSL线路驱动器之间用作第三级保护。  

 

安森美半导体" title="安森美半导体">安森美半导体新的TSPD系列还包括以高性价比SMB封装的市场领先的超低电容NP-MC系列。这器件系列具有低于30 pF的超低电容,用于额定电流100 A的器件,为设计人员在不同高速应用中提供替代气体放电管(GDT)的选择。由于具有超低的关态电容,NP-MC器件为VDS2+T1/E1电路等高速设备提供微乎其微的信号失真。低额定关态电容转化为极低的差分电容,为所应用的电压或频率提供极佳的线性度。它们通常在DSL隔离变压器的线路端用作次级保护器。NP-MC系列器件包括NP0640SCMCT3GNP0720SCMCT3GNP0900SCMCT3GNP1100SCMCT3GNP1300SCMCT3GNP1500SCMCT3G 

 

这些TSPD器件对于开发互联网协定数字用户线路接入复用器(IP-DSLAM)、家庭网关和调制解调器、语音IP(VoIP)及其它设备等可靠的接入和客户端设备而言必不可少,帮助设计人员符合标准,并将对信号质量的影响减至最小。 

 

NP0080NP0120NP0160采用TSOP-5封装,每3,000片批量的单价为0.2307美元。      NP-MC系列器件采用SMB封装供货,每2,500片批量的单价为0.2307美元。 

 

更多技术信息请访问安森美半导体电路保护网站http://www.onsemi.com.cn/circuitprotection或联系麦满权(电邮:M.K.Mak@onsemi.com) 

 

关于安森美半导体(ON Semiconductor) 

安森美半导体(ON Semiconductor国纳斯达克上市代号ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是电源、汽、通信、计算机、消费产品医疗、工、手机和军事/航空等市场客户之首选高性能高能硅解决方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模数字信号处理器(DSP)、混合信、先进逻辑时钟管理和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯并在北美欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂销售办事处和设计中心的业务网络。欲查询公司详情请浏览安森美半导体网站www.onsemi.com.cn 

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