基于JTAG的DSP外部FLASH在线编程与引导技术
2008-10-14
作者：刘德生 李 杰
摘 要： 介绍了DSP—FLASH在线编程" title="在线编程">在线编程(ISP)与引导系统的硬件构成，给出了创建可引导文件的步骤和实现FLASH存储器在线编程的算法；在AD公司Visual DSP++3.5集成开发环境下，通过JTAG对ADSP—21065L外部FLASH 存储器AT29LV020实现在线编程，并完成系统的引导。
关键词： JTAG FLASH 在线编程 引导 Visual DSP++3.5
在以DSP为核心的数字信号处理系统中，通常将可执行代码存放在非易失性存储器" title="非易失性存储器">非易失性存储器中，在系统加电或复位时通过DSP的引导加载" title="加载">加载(Boot Loader)机制将该代码转移到高速存储器中执行。AD公司出品的ADSP SHARC系列DSP内部的非易失性存储器因其资源有限，必须在外部加以扩展。FLASH存储器具有容量大、单电源供电和可在线编程的特点，是一种非常理想的存储器。
若采用烧录器对FLASH存储器进行编程，则在修改程序时必须拔插器件，而某些表贴封装(如PLCC封装和TSOP封装)的器件又需要专用的转接插座，这使得程序的调试和参数的修改非常繁琐，而且容易对器件造成物理损伤。采用在线编程的方式对FLASH存储器进行操作，可以克服上述问题，为调试者提供了极大的方便。本文以ADSP—21065L外部扩展的FLASH存储器AT29LV020为对象，在Visual DSP++3.5环境中通过JTAG仿真器运行一段程序，将可引导代码在线烧录到FLASH中，并实现系统的引导。
1 在线编程与引导系统
本系统以ADSP—21065L及外部的FLASH存储器AT29LV020为核心，由DSP控制FLASH存储器的擦除和读写。
AT29LV020是用单电源3.3V供电的低功耗FLASH存储器，容量2MB(256K×8)，8位数据总线，18位地址总线。该芯片以扇区(SECTOR)为基本的编程单位，共有1024个扇区，每个扇区包含256个字节。芯片的存储空间中包含两个引导区，分别是最低8K(0x00000～0x01FFF)和最高8K(0x3E000～0x3FFFF)的引导区[1～2]。
系统引导时，DSP将FLASH作为普通的外部数据存储器，通过DMA方式访问。ADSP—21065L的外部地址空间为0x00020000～0x03FFFFFF。FLASH的物理地址(ADD)对于DSP来说就是(0x00020000+ADD)。整片AT29LV020占据ADSP—21065L的外部地址空间范围为0x00020000～0x0005FFFF，这段空间属于Bank0。访问该段空间时，DSP引脚
有效。引导时，DSP引脚
有效。所以，使用和的组合作为FLASH的片选信号。DSP与FLASH的连接如图1所示[3]。
2 DSP可引导文件的创建
在线编程的过程如下：
(1)创建一个适合FLASH存储器的引导程序" title="引导程序">引导程序文件A；
(2)在Visual DSP++ 3.5环境中编写一个FLASH的操作程序，创建一个可执行的“.DXE”文件B；
(3)通过基于JTAG的Emulator将B下载到DSP中执行，将A文件写入FLASH中。
下面介绍如何在Visual DSP++ 3.5的开发环境中创建一个可以引导的文件[4]。该文件就是通过JTAG写入FLASH中的目标文件。具体步骤如下：
(1)创建一个将要写入FLASH的源程序，在Visual DSP++环境中直接通过Emulator下载到DSP中执行，验证程序的正确性。
(2)打开菜单Project→Project Options…，在Project标签的页面里，选择Type为Loader File；在Load标签的页面里，选择Boot Mode为Prom，选择Boot Format为ASCII，并为将要创建的.LDR文件指定名称。
(3)重新编译工程，在工程目录中得到一个载入文件*.LDR。
至此，一个可引导的文件就创建成功了。该文件的格式如下：
……
0x1254
0xCDF3
0x256C
……
该文件有n行，每行为一个双字节的16进制数。考虑到FLASH的数据总线是8位，在写入之前，必须将每行分成两个单字节的16进制数。
3 FLASH在线编程的实现
3.1 FLASH扇区编程的实现
AT29LV020的操作包括扇区编程、整片擦除、读芯片ID、退出读芯片ID、引导区加锁等，这里关心的主要是扇区编程。
扇区是AT29LV020编程的最小操作单位，每次编程操作时，目标扇区的256个字节同时进行。在DSP的写指令字序列的作用下，同一个扇区的256个字节被写入FLASH内部的缓冲区，然后FLASH自动启动编程操作。DSP向缓冲区写入同一个扇区的数据时，数据的写入顺序是任意的，但是相邻的写信号间隔不能大于150μs，否则将被视为写入操作完成，编程过程立刻启动，而扇区内没有写入内容的地址将全部被编程为FF。完成一个扇区的编程最多只需要20ms。编程过程启动后首先会自动擦除需要编程的扇区，所以在编程前并不需要对扇区进行单独的擦除操作。
为了防止FLASH中的内容被误操作或者其它操作修改，FLASH默认为写保护状态。每次对扇区进行编程前必须写入一个命令字序列，才可以向FLASH的缓冲区写入数据，进而启动编程。编程结束后，FLASH自动恢复到写保护状态。
一个扇区编程是否结束，可以通过以下三种方法判断：
(1)反复读最后写入的地址的内容，如果编程没有结束，读到数据的最高位与最后写入的数据的最高位始终互为补码；编程结束后，读到的数据与最后写入的数据相等。
(2)反复读任意某个地址的内容，如果编程没有结束，每次读操作都会导致次高位发生跳变；编程结束后，读到的结果就是写入该地址的实际数据。
(3)写完一个扇区后延时20ms，作为扇区编程结束的依据。
扇区编程的流程图如图2所示。
3.2 FLASH文件在线编程的实现
考虑到AT29LV020的最小编程单位为一个扇区，首先应该将待编程的文件分割为若干个256字节的编程单元，对于最后的一个单元，无论是否够256字节，都无需理会，仍旧按照一个扇区处理。
假设待编程的文件名为filename.ldr，采用汇编语言编写软件时，使用变量定义：
.var f_data[ ] = 'filename.ldr';
缓冲区f_data[ ]的首址指向filename.ldr的首行，f_data的每个元素都对应文件的一行。由于创建的引导程序文件每行数据都是16位的，包含两个8位字节，所以必须将其分解为两部分后分别写入FLASH。
软件的流程如图3所示。
4 测试实例
下面是将文件写入FLASH的完整程序，在实际中已经调试成功。通过该程序将一段闪灯代码blink.ldr写入FLASH中，复位后，被写入的代码自动加载到DSP中执行。在编程过程中，ADSP-21065L的FLAG10引脚输出周期为40ms的方波；编程结束后，FLAG8输出周期为40ms的方波。
// 宏定义与变量初始化
#define f_size 1572 //文件的行数
#define mem_offset 0x020000 //FLASH的地址偏移
#define u_mem1_a 0x025555 //命令字写入地址1
#define u_mem2_a 0x022AAA //命令字写入地址2
#include ＜def21065L.h＞
.section/dm seg_fout;
.var f_data[] =“blink.ldr”; //待写入的代码文件
.section/dm seg_dmda;
.var d_byte;
.var addr;
.var line_num = 0; //当前扇区已写入行数
.var byte_size; //待写入代码字节数-1
.var counter = 0; //延时的计数值
// 复位中断
.section/pm pm_rsti;
nop;
jump start;
nop;
//以下是主程序
.section/pm seg_pmco;
start:
nop;
bit clr mode1 0x00001000; //屏蔽所有中断
IRPTL = 0x0; //清除未响应中断
r0 = 0x0050; //设置 FLAG10 和
dm(IOCTL) = r0; //FLAG8为输出引脚
program:
i0 = f_data;
r2 = 0x0; //已经写入的字节数-1
r3 = f_size;
r4 = r3 + r3;
r4 = r4 - 1;
dm(byte_size) = r4;
r6 = dm(line_num);
r7 = 0;
comp(r6,r7); // 判断是否为新的扇区
if ne jump sect_load; // 不是，则直接向FLASH
//缓冲区写入字节
sect_ulock: //是，首先写命令字序列
r12 = 0xAA;
dm(u_mem1_a) = r12;
r12 = 0x55;
dm(u_mem2_a) = r12;
r12 = 0xA0;
dm(u_mem1_a) = r12;
sect_load:
r0 = dm(i0,1); //读取一行数据
r1 = fext r0 by 0:8; // 获得低字节
dm(d_byte) = r1;
dm(addr) = r2;
call load_byte; //向FLASH写入低字节
r2 = r2+1;
r1 = fext r0 by 8:8; //获得高字节
dm(d_byte) = r1;
dm(addr) = r2;
call load_byte; //向FLASH写入高字节
r8 = dm(byte_size);
comp (r2,r8); //判断文件是否全部写完
if eq jump done; //是，则结束
r6 = dm(line_num); //否，判断扇区是否结束
r6 = r6+1;
dm(line_num) = r6;
r7 = 128;
comp (r6,r7);
if lt jump prog_loop; //否，继续向该扇区写数据
sect_done: //是，等待20ms
nop;
call wait_DQ7;
ustat2 = dm(IOSTAT);
bit tgl ustat2 FLG10O;
dm(IOSTAT) = ustat2; //翻转FLAG10
r6 = 0;
dm(line_num) = r6;
r2 = r2+1;
jump sect_ulock; //开始向新扇区写数据
prog_loop:
r2 = r2+1;
jump sect_load;
done: //编程结束
nop;
call wait_DQ7;
ustat2 = dm(IOSTAT);
bit tgl ustat2 FLG8O; //翻转FLAG8
dm(IOSTAT) = ustat2;
jump done;
load_byte: //写字节子程序
i4 = dm(addr);
m4 = mem_offset;
r12 = dm(d_byte);
dm(m4,i4) = r12;
rts;
nop;
wait_DQ7: //20ms延时子程序
r0 = dm(counter);
r0 = r0+1;
dm(counter) = r0;
r1 = 0x59000;
comp(r0,r1);
if lt jump wait_DQ7;
r0 = 0;
dm(counter) = r0;
rts;
nop;
上面的程序是针对由ADSP-21065L和AT29LV020构成的磁悬浮数字控制系统编写的，可行性与可靠性已经在实际应用中得到验证。该程序具有良好的可移植性，稍作修改即可用于类似的在线编程系统，具有较强的实用价值。
参考文献
1 Application Note: Atmel AT29 Flash Memories [Z]. Atmel Corporation, 1998.10
2 Data Sheet: 2-megabit (256K x 8) 3-volt Only Flash Memory AT29LV020 [Z]. Atmel Corporation, 2002.5
3 Engineer To Engineer Note: Interfacing Byte Programmed Flash Memories to the ADSP-2106x SHARC series [Z]. Analog Device Inc., 1999.7
4 刘书明，罗军辉. ADSP SHARC系列DSP应用系统设计[M]. 北京：电子工业出版社，2003.2