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安森美半导体扩充中等电压功率MOSFET系列,推出8款新器件用于消费和工业应用

新的60 V强固 MOSFET为电源、转换器、PWM控制和桥电路中的中等电压开关应用而设计
2008-11-17
作者:安森美半导体
 

全球领先的高性能" title="高性能">高性能、高能效" title="高能效">高能效硅解决方案供应商" title="方案供应商">方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)安森美半导体" title="安森美半导体">安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量,免应用受未预料的电压瞬态影响。 

 

这些新的60(V)器件均是单N沟道MOSFET,提供较低的导通阻抗" title="导通阻抗">导通阻抗(RDS(on)),将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比,降低传导和开关损耗。所有这些性能特性,使电源子系统能效更高。 

 

安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“这些新的中等电压器件,壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案,满足我们消费和工业应用的扩大客户需求,强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”  

 

器件 

这些器件提供宽的规范点范围,让设计人员能够灵活地选择采用DPAKD2PAKTO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。 

 

器件型号 

封装 

VDS (V) 

ID (A) 

Rdson (mΩ) @ 10 V 

Qg (typ) (nc) 

EAS (mJ) 

NTB5411N 

D2PAK 

60 

75 

8.5 

92 

336 

NTP5411N 

TO-220 

60 

75 

8.5 

92 

336 

NTB5412N 

D2PAK 

60 

60 

14 

62 

211 

NTP5412N 

TO-220 

60 

60 

14 

62 

211 

NTB5426N 

D2PAK 

60 

120 

170 

1000 

NTP5426N 

TO-220 

60 

120 

170 

1000 

NTD5413N 

DPAK 

60 

45 

21 

33 

101 

NTD5414N 

DPAK 

60 

20 

37.5 

21.2 

57.8 

 

所有这些器件都符合RoHS指令要求,并采用无铅封装。  

 

现已提供样品和生产数量。根据不同器件,制造商建议零售价介于0.60美元至1.75美元之间。 

 

有关安森美半导体提供的这些中等电压功率MOSFET器件的更多信息请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系George Riehm(电邮george.riehm@onsemi.com)  

 

关于安森美半导体(ON Semiconductor) 

安森美半导体(ON Semiconductor国纳斯达克上市代号ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是电源、汽、通信、计算机、消费产品医疗、工、手机和军事/航空等市场客户之首选高性能高能硅解决方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模数字信号处理器(DSP)、混合信、先进逻辑时钟管理、非易失性存储器和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯并在北美欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂销售办事处和设计中心的业务网络。欲查询公司详情请浏览安森美半导体网站www.onsemi.com.cn 

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