工业自动化最新文章 基于APD的2.5D封装中介层自动化设计 由于高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）的高带宽特性，在2.5D封装中介层（Interposer）的版图设计过程中存在大量HBM接口的连线需要手动完成。介绍了如何使用SKILL语言在Allegro封装设计工具 (Allegro Package Design，APD) 中实现HBM接口的自动布线，将原来的手动布线时间从2周缩短到10 min，大大压缩设计周期。 发表于：2019/8/14 融合GDT和MOV，Bourns打造创新型过压保护器件 融合GDT和MOV，Bourns打造创在使用电子电气设备的众多恶劣环境中，雷电是其中的代表。我国某县城的统计数据显示，每年因雷电导致过压造成的设备损坏占整体的70.11%，单一工作单位的损失就可达数十万元。再加上如今消费者对于设备的功能要求越来越严苛和多样，促使电路保护元件已经从最开始的玻璃管保险丝，发展成为庞大的电子元器件分支。 为了帮助设备厂商应对日益复杂多变的市场环境，提高产品市场竞争力，全球知名的电子元器件制造与供货商美国柏恩（Bourns）推出了GMOV™系列过电压保护元件（以下简称GMOV™系列）。新型过压保护器件 发表于：2019/8/13 中国压铸展圆满落幕 诺瑞肯“铸”力本土化发展 中国上海，2019年 8月12日——每年举办的中国国际压铸会议暨展览会备受行业瞩目，较高的专业性和知名度吸引了各大行业代表企业出席。此前，诺瑞肯集团携旗下四大品牌：迪砂（DISA）、意特佩雷斯高斯（Italpresse Gauss）、史杰克西（StrikoWestofen），以及维尔贝莱特（Wheelabrator）成功亮相了本届中国压铸展，充分展示了其领先的行业水平和卓越的品牌实力。诺瑞肯从创新技术入手，引领压铸行业顺应终端市场的变革，这一发展方向与本届展会的主题“高端压铸件制造技术的发展与多元化”不谋而合。 发表于：2019/8/13 关于芯片产业的未来，专家是这样看的！ 2019年度国际计算机体系结构旗舰会议ISCA于6月在美国亚利桑那州凤凰城召开。6月23日与ISCA一起举行的远景研讨会（SIGARCH Visioning Workshop）吸引了上百位听众。一方面是因为此次研讨会主题“面向下一代计算的敏捷开放硬件（Agile and Open Hardware for Next-Generation Computing）”是当前体系结构研究领域的前沿热点，引起了很多人的关注；另一方面11位报告人中大牛云集，有图灵奖得主David Patterson教授，也有多位美国工程院院士加持，还有来自MIT、Berkeley、Stanford、UCSD、Google、Nvidia、DARPA等顶尖大学、企业和政府机构的专家（自己成了唯一的一位来自美国以外的报告人，多少有些势单力薄）。 发表于：2019/8/11 5G到底能给制造业带来什么？ 都说5G是迎接工业4.0时代的前奏，5G“三超”（超高速、超大连接、超低时延）的关键能力，和万物互联的应用场景将开启新一轮信息产业革命，5G技术已成为支撑智能制造的关键技术之一。 发表于：2019/8/11 ADC的电源选型 ADC是一个敏感器件，要好好对待它的各个输入端口，才能得到它本身的性能。 常规的，我们会在输入端加入抗混叠滤波器，时钟端使用抖动极低的时钟芯片的输出，那电源输入端呢？ 发表于：2019/8/11 氮化镓半导体材料在5G时代的应用前景 氮化镓，分子式为GaN，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 发表于：2019/8/11 氮化镓在射频领域的优势盘点 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。 发表于：2019/8/11 射频氮化镓市场前景分析 据麦姆斯咨询介绍，近年来，GaN凭借高频下更高的功率输出和更小的占位面积，被射频行业大量应用。在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下，预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。 发表于：2019/8/11 电信和国防应用推动射频氮化镓(RF GaN)蓬勃发展 专利之争全面开启 电信和国防应用推动射频氮化镓(RF GaN)蓬勃发展。根据市调机构Yole Développement调查指出，RF GaN产业于2017~2023年间的年复合增长率达到23%。随着工业不断地发展，截至2017年底，RF GaN市场产值已经接近3.8亿美元，2023年将达到13亿美元以上。 发表于：2019/8/11 氮化镓的世界你知道多少？！ 氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体。 发表于：2019/8/11 中国5G氮化镓PA产业及市场分析（下）：重要企业与产品汇总 GaN-on-SiC 射频器件的供应商主要为 IDM 企业，核心产业链环节包括 SiC 衬底材料制作、GaN 材料外延生长、器件设计和制造、封装测试。本文将从 SiC 衬底、GaN 材料外延、器件设计和制造三个环节来阐述。 发表于：2019/8/11 中国5G氮化镓PA产业及市场分析（上） GaN 是属于异质结 HEMT（High Electron Mibility Transistro），异质结就是利用一种比 GaN 禁带宽度更高的(Al，Ga)GaN 与 GaN 组合在一起。 由于(Al，Ga)GaN 和 GaN 的异质结存在两种极化效应：自发极化(RSP)和压电极化(RPE)，正是由于这两种极化共同作用，所以在(Al，Ga)GaN 和 GaN 的界面处产生极化静电荷，从而形成两维电子气（2DEG:2-D electron gas)，2DEG 的速度比普通的电子快 2.7 倍，因此其拥有更高的工作频率。 发表于：2019/8/11 GaN（氮化镓）适用于哪些关键领域？ 半导体 行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，一路上挟风带雨，好不风光。不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。 发表于：2019/8/11 蓝宝石微讲堂第五十三期-氮化镓芯片产业链投资分析（上篇） 2019“振华半导体”蓝宝石&半导体上海高峰论坛，浙江品利基金的投资总监王飞尧作为嘉宾为参会的各位行业同仁做了关于《氮化镓芯片产业链投资分析》的专题报告。报告阐述了氮化镓材料的特性及其应用市场，并简要分析了不同硅、碳化硅、氮化镓、蓝宝石等基体材料对氮化镓的应用和影响。 发表于：2019/8/11 <…535536537538539540541542543544…>
