氮化镓，分子式为GaN，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

　　GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代GaAs相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

　　5G商用到来，射频氮化镓技术必不可少

　　射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。随着全球移动数据流量的不断增长，各移动运营商正在竭尽全力满足爆炸式增长的流量需求。通过载波聚合可以缓解移动互联网对于数据带宽的需求，载波聚合和大规模多入多出技术促使基站去采用性能更好的功放。基站中以前采用的射频功放主要基于LDMOS技术，但LDMOS技术的极限频率不超过3.5GHz，也不能满足视频应用所需的300MHz以上带宽。

　　因为上述原因，基站开始采用射频氮化镓器件来替代LDMOS器件。LDMOS器件物理上已经遇到极限，这就是氮化镓器件进入市场的原因。基站应用需要更高的峰值功率、更宽的带宽以及更高的频率，这些因素都促成了基站接受氮化镓器件。

　　GaN可以实现更高的功率密度，对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，就可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高的工作电压，意味着其功率密度及可工作温度更高，因而具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点。

　　快充类手机需求旺盛

　　随着电子产品的屏幕越来越大，充电器的功率也随之增大，尤其是对于大功率的快充充电器，使用传统的功率开关无法改变充电器的现状。而GaN技术可以做到，因为它是目前全球最快的功率开关器件，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的元件，应用于充电器时可以有效缩小产品尺寸，比如使目前的典型45W适配器设计可以采用25W或更小的外形设计。氮化镓充电器可谓吸引了全球眼球，高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是庞大笨重，小巧的体积一样可以实现大功率输出。

　　据统计，许多主流的手机厂商都已将USB PD快充协议纳入到了手机的充电配置。USB PD快充的手机已经多达52款型号和覆盖15个品牌，其中不乏苹果、华为、小米、三星等一线大厂品牌。USB PD快充将成为目前手机、游戏机、笔记本电脑等电子设备的首选充电方案。

　　现下，5G商用，消费类电源快充快速普及，氮化镓在这些领域都有着较为广阔的应用前景，氮化镓未来可期。