消费电子最新文章 泰克IsoVu™光隔离测量系统开始出货 中国北京2016年8月18日 – 全球领先的测量解决方案提供商——泰克科技公司日前宣布，此前在APEC 2016展览会上预展的IsoVu™测量系统现已开始出货，在全球范围内向客户交货。光隔离测量系统的价格为12,000美元起，详情请访问http://www.tek.com/isolated-measurement-systems。 发表于：2016/8/18 新型高耐压功率场效应晶体管 摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。 发表于：2016/8/18 场效应晶体管放大器 场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管放大器。以下以结型管为例给出三种基本组态放大器的等效电路和性能指标计算表达式，见表5.2-7。图为场效应管具有与晶体管类似的正向受控作用，它也可构成共源极、共漏极、共栅极三种基本放大器。 发表于：2016/8/18 半导体top20 联发科成长幅度最大 研究机构IC Insights最新公布，今年上半年全球前20大半导体厂排名，台湾有晶圆代工厂台积电稳居全球第三位、IC设计龙头厂联发科由第13名晋升至第11名，而且联发科因为合并立錡及奕力综效显现，第2季产值季成长率32％、居前20大之冠。此外，台湾晶圆代工二哥联电也维持第19名之位。 发表于：2016/8/18 无线充电技术难落地 “成本”还是根本问题 你认为电动汽车多会儿才能扔掉那根碍眼碍手的充电线缆呢？如果你因为目前并不统一的无线充电技术标准，而对这项技术的应用前景有所怀疑的话，可能要笑话你是个“老古董”了。 发表于：2016/8/18 2016下半年应用处理器方案竞争 联发科与展讯恐落后 面对2016年下半应用处理器市场挑战，各家行动通讯方案供应商均积极针对新製程和新架构规划新产品，除增加自有方案竞争力，也同时是为因应个别市场对相关规格的需求。DIGITIMES Research认为，下半年高通(Qualcomm)方案仍将具优势，联发科及展讯则相对落后。 发表于：2016/8/18 GlobalFoundries取消10nm工艺 AMD下代处理器将直奔7nm 2016年各大晶圆厂的主流工艺都是14/16nm FinFET工艺，Intel、TSMC及三星明年还要推10nm工艺，由于Intel也要进军10nm代工了，这三家免不了一场大战。但是另一家代工厂GlobalFoundries已经决定不走寻常路了，他们确认会取消10nm工艺，直接杀向7nm工艺，这也意味着AMD未来处理器也会跳过10nm工艺直奔7nm工艺。 发表于：2016/8/18 内存技术路线图 DDR4提速2400MHz DDR5还需4年 经过2年多的发展，DDR4内存现在已经是非常平民了，价格与DDR3内存相差无几，但性能更强、功耗更低，只要你的平台支持，强烈建议选择DDR4内存。在IDF 2016会议上，Intel也公布了自家处理器的内存技术路线图，其中高性能产品线的DDR4内存会从2133MHz提高到2400MHz，下代Xeon平台则会搭配基于3D XPoint闪存的Optane内存，而DDR5内存预计会在2020年出现。 发表于：2016/8/18 Verizon 高通表示 Wi-Fi联盟LTE-U测试计划存在不公平 近日，LTE-U技术者对Wi-Fi联盟即将发布的最新LTE-U与Wi-Fi之间干扰的测试计划表示了强烈不满，Verizon则对此进行了声援。 发表于：2016/8/18 前苹果CEO推出一款“悬浮”显示屏安卓智能手机 Obi Worldphone是一家由前苹果和百事CEO John Sculley创办的公司，而该公司在英国将推出一款名为MV1的智能手机。这款智能手机搭载Android 5.1 Lollipop操作系统，希望为用户提供一个合理的价格以及更具创意的设计产品。 发表于：2016/8/18 RS Components扩展连接产品组合 中国北京，2016年8月17日 - 服务于全球工程师的分销商Electrocomponents plc (LSE:ECM)集团旗下的贸易品牌RS Components (RS) 公司延伸了其高质量自有品牌产品组合，新增EDAC 572和560系列IP67级别连接器，为LED照明、医疗、海事和水培养殖、门禁控制、户外标识和冷藏陈列等广泛的各种户外及坚固耐用的应用提供了简单、安全的连接。 发表于：2016/8/17 八路总线收发器具有热插入和总线保持功能 Diodes 公司推出能够在数据总线之间实现异步通信的74LVT245BB八路收发器，其控制引脚确定数据流方向，同时禁用三态输出，允许总路线完全隔离。数据总线以往主要用于计算机应用，现在电视机、机顶盒、基站和多种其它数据通信设备中广泛应用，为各种收发器电路提供了广阔的市场。 发表于：2016/8/17 MOS管技术:电源应用中场效应晶体管的崩溃效应 在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电源操作工作频率也要求越来越高。如此会造成较高的 di/dt 产生使得杂散电感效应加诸于场效应晶体管两端 (Drain & Source) 的瞬间电压会更加明显。尤其在电源开机的霎那间 , 此瞬间电压会达到最大值。这是由于变压器一次侧电感值相当于漏电感 ( 最小电感值 ) 而且输出电容完全未充电的状态所致。幸运的是一般场效应晶体管皆可承受高于某些程度的额定电压范围 , 在此条件范围内设计者并不需要增加额外的保护线路以避免不必要的成本支出。此篇文章可带领各位去判断何种条件下对场效应晶体管所造成的影响 , 进而帮助设计者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡点。 发表于：2016/8/17 增强型和耗尽型场效应晶体管 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。 发表于：2016/8/17 电力双极型晶体管(GTR)详解 电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管，也称为BJT，简称为电力晶体管。它与晶闸管不同，具有线性放大特性，但在电力电子应用中却工作在开关状态，从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断，是典型的自关断器件。 发表于：2016/8/17 <…1439144014411442144314441445144614471448…>
